Härte: | 9 Mohs | Material: | 99.999% Saphirkristall |
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Dichte: | 30,98 g/cm3 | Orientierung: | Kann angepasst werden |
Größe: | 2 oder 3 oder 4 oder 6 oder 8 | Dicke: | Individualisiert |
Oberfläche: | ssp oder dsp | TTV: | Hängen Sie von der Größe ab |
WRAP/BOW: | Hängen Sie von der Größe ab | ||
Hervorheben: | Anpassung der Ausrichtung Saphir Wafer,4'' Saphirwafer,Al2O3 Saphirwafer |
Saphir Wafer Off C-Achse zur M-Ebene 20° Al₂O₃ Durchmesser 2"/3"/4"/6"/8", kundenspezifische Ausrichtung
Dieser hochreine Saphir-Wafer weist eine Off-C-Achse zur M-Ebene auf.20° Ausrichtung mit 99,999 % (5N) Al₂O₃ Reinheit, konzipiert für fortschrittliches Epitaxiewachstum und spezielle Halbleiteranwendungen. Erhältlich in Standarddurchmessern (2" bis 8") mit anpassbaren Ausrichtungen und Dicken, bietet er außergewöhnliche kristallographische Präzision, extrem niedrige Defektdichte und überlegene thermische/chemische Stabilität. Der 1° Off-Cut zur M-Achse optimiert die Epitaxieschichtqualität für GaN-, AlN- und ZnO-basierte Bauelemente und ist somit ideal für Hochleistungs-LEDs, Laserdioden, Leistungselektronik und SAW/BAW-Filter.
Hauptmerkmale des Saphir-Wafers
Präzise Off-Cut-Ausrichtung:
20° Off von der C-Achse zur M-Ebene , wodurch Stufenbündelungsdefekte reduziert und die Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht verbessert wird.
Kundenspezifische Off-Cut-Winkel (0,2°–5°) für spezielle Anwendungen verfügbar.
Ultrahohe Reinheit (5N Al₂O₃):
99,999 % Reinheit mit Spurenverunreinigungen (Fe, Ti, Si) <5 ppm, wodurch minimale elektrische/optische Verluste gewährleistet werden.
Anpassbare Abmessungen und Ausrichtungen:
Durchmesser: 2", 3", 4", 6", 8"
Dicke: 100 µm bis 1.000 µm (±5 µm Toleranz).
Alternative Ausrichtungen: A-Ebene (1120), R-Ebene (1102) oder Mischschnitte auf Anfrage.
Überlegene Oberflächenqualität:
Epi-Ready-Politur: Ra <0,5 nm (Vorderseite) für defektfreie Dünnschichtabscheidung.
Doppelseitiges Polieren (DSP): Ra <0,3 nm für optische Anwendungen.
Außergewöhnliche Materialeigenschaften:
Thermische Stabilität: Schmelzpunkt ~2.050°C, geeignet für MOCVD/MBE-Prozesse.
Optische Transparenz: >85 % Transmission (UV bis mittleres IR: 250–5.000 nm).
Mechanische Robustheit: 9 Mohs Härte, beständig gegen chemischen/abrasiven Verschleiß.
Anwendungen von Saphir-Wafer
Optoelektronik:
GaN-basierte LEDs/Laserdioden: Blaue/UV-LEDs, Micro-LEDs und Kantenemitter-Laser.
Laserfenster: Hochleistungs-CO₂- und Excimer-Laserkomponenten.
Leistungs- und HF-Elektronik:
HEMTs (High-Electron-Mobility Transistors): 5G/6G-Leistungsverstärker und Radarsysteme.
SAW/BAW-Filter: M-Ebenen-Ausrichtung verbessert die piezoelektrische Leistung.
Industrie & Verteidigung:
IR-Fenster und Raketenkuppeln: Hohe Transparenz in extremen Umgebungen.
Saphir-Sensoren: Korrosionsbeständige Abdeckungen für raue Bedingungen.
Quanten- und Forschungstechnologien:
Substrate für supraleitende Qubits (Quantencomputing).
Nichtlineare Optik: SPDC-Kristalle für Quantenverschränkungsstudien.
Halbleiter & MEMS:
SOI (Silicon-on-Insulator)-Wafer für fortschrittliche ICs.
MEMS-Resonatoren: Hochfrequenzstabilität mit M-Ebenen-Schnitten.
Spezifikationen
Parameter |
Wert |
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Durchmesser | 2", 3", 4", 6", 8" (±0,1 mm) |
Dicke | 100–1.500 µm (±5 µm) |
Ausrichtung | Off-C-Achse zur M-Ebene 20° |
Reinheit | 99,999 % (5N Al₂O₃) |
Oberflächenrauheit (Ra) | <0,5 nm (Epi-Ready) |
Versetzungsdichte | <500 cm⁻² |
TTV (Total Thickness Variation) | <10 µm |
Durchbiegung/Verzug | <15 µm |
Optische Transparenz | 250–5.000 nm (>85%) |
Fragen & Antworten
Q1: Warum einen 20° Off von der C-Achse zur M-Ebene für die Epitaxie wählen?
A1: Der M-Achsen-Off-Cut verbessert die Adatombeweglichkeit während des Wachstums, wodurch Defekte reduziert und die Gleichmäßigkeit in GaN-Filmen für Hochleistungsbauelemente verbessert wird.
Q2: Kann ich andere Off-Cut-Richtungen (z. B. A-Achse) anfordern?
A2: Ja. Kundenspezifische Ausrichtungen (A-Ebene, R-Ebene oder Mischschnitte) sind mit einer Toleranz von ±0,1° erhältlich.
Q3: Was ist der Vorteil von DSP für Laseranwendungen?
A3: DSP bietet <0,3 nm Rauheit auf beiden Seiten, wodurch Streuverluste für Hochleistungslaseroptiken reduziert werden.
Ansprechpartner: Mr. Wang
Telefon: +8615801942596