Al₂O₃ Saphir Wafer, Abweichung von der C-Achse zur M-Ebene 8°, Durchmesser: 2" – 8", Kundenspezifische Dicke

Saphirwafer Off-C-Achse in Richtung M-Ebene8°- Ich weiß nicht.2O₃, Durchmesser 2 "/3"/4"/6"/8", individuelle Dicke

Das hier.mit einer Breite von mehr als 20 mm,Ausstattung° ausC-Achse zur Orientierung der Ebene Mund99Reinheit von 0,999% (5N), optimiert für ein überlegenes epitaxielles Wachstum in fortschrittlichen optoelektronischen und Halbleiteranwendungen.Standarddurchmesser (2" bis 8")Mit anpassbaren Dicken bietet es eine außergewöhnliche kristallographische Einheitlichkeit, eine extrem geringe Defektdichte und eine hervorragende thermische/chemische Stabilität.Der kontrollierte 1° Off-Cut-Winkel erhöht die GaN- und AlN-Epitaxie durch Verringerung von Schritt-Bunching-Defekten, so dass es für Hochleistungs-LEDs, Laserdioden, Leistungselektronik und HF-Geräte ideal ist.

Wesentliche Merkmale der Saphirwafer

Präzisionsorientierung außerhalb des Schnitts

8° abC-Achse zur Ebene M, entwickelt, um die Epitaxialfilm-Einheitlichkeit zu verbessern und Defekte in GaN-basierten Geräten zu minimieren.

Ultra-hohe Reinheit (5N Al)2O3)

990,999% Reinheitmit Spurenverunreinigungen (Fe, Ti, Si) < 5 ppm, die eine optimale elektrische und optische Leistung gewährleisten.

Durchmesser:2", 3", 4", 6", 8" (Toleranz von ± 0,1 mm).

Stärke:mit einem Durchmesser von mehr als 20 μm,

spezifische Anwendungen.

Epi-bereite Poliermittel: Ra < 0,5 nm (Vorderseite) für defektfreie Dünnschichtdeposition.

Wärmestabilität:Schmelzpunkt ~ 2,050°C, geeignet für

Hochtemperaturprozesse (MOCVD, MBE).

Optische Transparenz:Übertragung von > 85% (UV bis mittlerer IR: 250 nm ∼ 5.000 nm).

Mechanische Robustheit: 9 Mohs-Härte, resistent gegen chemische Ätze und Abrieb.

Anwendungen von Saphirwafer

Optoelektronik

LEDs/Laserdioden auf GaN-Basis: Blaue/UV-LED, Mikro-LED und VCSEL.

Hochleistungslaserfenster: CO2- und Exzimerlaserkomponenten.

Leistungs- und HF-Elektronik

HEMT (Transistoren mit hoher Elektronenmobilität): 5G/6G Leistungsverstärker und Radarsysteme.

Schottky-Dioden und MOSFETs: Hochspannungsgeräte für Elektrofahrzeuge.

Industrie und Verteidigung

IR-Fenster und Raketenkuppeln: Hohe Transparenz in rauen Umgebungen.

mit einer Leistung von mehr als 10 W: Korrosionsbeständige Abdeckungen für die industrielle Überwachung.

Quanten- und Forschungstechnologien

Substrate für supraleitende Qubits(Quantenrechner).

SPDC-Kristalle (spontane parametrische Abwärtskonversion)für die Quantenoptik.

Halbleiter und MEMS

mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm,für fortschrittliche Schaltungen.

MEMS-Drucksensorenchemische Trägheit erfordern.

Spezifikationen

Fragen und Antworten

Q1: Kann ich einen anderen Schnittwinkel verlangen (z. B. 0,5° oder 2°)?
A2: - Ja, das ist es.Ein spezifischer Abschnittwinkel ist mit einer Toleranz von ± 0,1° erhältlich.

F2: Wie groß ist die maximale verfügbare Dicke?
A6:Bis zu1,500 μm (1,5 mm)für die mechanische Stabilität bei Hochspannungsanwendungen.

F3: Wie sollten Wafer aufbewahrt werden, um eine Kontamination zu vermeiden?
A10:AufbewahrenKassetten, die für Reinräume geeignet sindoder Stickstoffschränke (20°C bis 25°C, Luftfeuchtigkeit < 40%).