Saphir Wafer 3" Dia76.2±0.1mm, Dicke 550um, C-Plane 0001 DSP/SSP

Saphir Wafer 3" Durchmesser 76,2 ± 0,1 mm Dicke 550um C-Plane 0001 DSP SSP

Die Saphirwafer mit einem Durchmesser von 3 Zoll und einer Dicke von 550 μm stellt ein hochmodernes kristallines Substrat für Halbleiter dar, das in vielen Hightech-Industrien weit verbreitet ist.mit einem Durchmesser von 76.2 ± 0,1 mm und entlang der C-Ebene (0001) ausgerichtet, sind diese Saphirwafer für Anwendungen mit außergewöhnlichen optischen, elektrischen und mechanischen Eigenschaften optimiert.Hergestellt unter strengen Qualitätskontrollen, bieten diese Saphirwafers eine überlegene Reinheit, Gleichmäßigkeit und Oberflächenqualität, was sie ideal für modernste Elektronik, Optoelektronik und wissenschaftliche Forschung macht.

Produktspezifikationen

Anwendungen von Saphirwafern

Die einzigartigen Eigenschaften der Saphirwafer machen sie für eine Vielzahl von modernen Anwendungen geeignet:

1Elektronik und Halbleiter
- Substrat für GaN und andere Breitbandhalbleiter
- Hochfrequenzgeräte, HF-Filter und Mikrowellenkomponenten
- Substrat für mikroelektromechanische Systeme (MEMS)

2Wissenschaft und Industrie

- Substrat für das epitaxiale Wachstum von fortgeschrittenen Materialien
- Komponenten in Hochtemperatur- und Hochstrahlungsumgebungen
- Präzisionsinstrumentation und optische Sensoren

Häufig gestellte Fragen

F1:Wie lange dauert die Lieferzeit für kundenspezifische Aufträge?

• Standard-Spezifikationen: 2 Wochen
• Maßgeschneiderte Dicke/Orientierung: 4 Wochen

F2: Wie sollten Wafer gelagert werden?

• Reinraum Klasse 1000
• Kassetten mit Stickstoff
• Vermeiden Sie UV-Exposition

F3:Bieten Sie kleinere oder größere Durchmesser an?

• 2 " (50,8 mm)
• " (76,2 mm)
• 4" (101,6 mm)
• 6" (150 mm)
• 8" (200 mm)