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Guter Preis 4 Zoll 3C-N-Typ SiC-Substrat Siliziumkarbid Substrat Dicke 350um Prime-Qualität Dummy-Qualität Online
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12 Zoll Durchmesser 300 mm SIC Substrat Epitaxial Polierte Wafer Siliziumkarbid Ingot Prime Grade 4H-N Typ Leitung Solar Photovoltaik

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einzelne Crystal Gallium Arsenide Substrates Semiconductor N Art 2inch

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Art Silikon-Karbid-Waferherstellungs-Grad 2inch 3inch Dia100m 4H-N für Halbleiterbauelement

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