3 Zoll HPSI Siliziumkarbid SiC Substrat Dicke 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Durchsichtig

3 Zoll HPSI Siliziumkarbid SiC Substrat Dicke 500um Prime Grade Dummy Grade Research Grade Durchsichtig

Über HPSI

HPSI SiC-Wafer ist ein fortschrittliches Halbleitermaterial, das in elektronischen Geräten unter hoher Leistung, hoher Frequenz und hoher Temperatur weit verbreitet ist.Halbisolierende Eigenschaften, breite Bandbreite, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit. Es kann in Leistungselektronik, RF-Geräten, Hochtemperatursensoren angewendet werden.

HPSI-SiC-Wafer sind aufgrund ihrer hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften zu wichtigen Materialien für moderne Hightech-elektronische Geräte geworden.Das Anwendungsgebiet wird sich weiter erweitern..

- Ich weiß.

Eigenschaften von 4H-SEMI SiC

-Hohe Reinheit: HPSI SiC-Wafer reduzieren die Auswirkungen von Verunreinigungen und verbessern die Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts.

- Halbisolierende Eigenschaften: Diese Wafer hat gute Halbisolierende Eigenschaften, die parasitäre Ströme wirksam unterdrücken können und für Hochfrequenzanwendungen geeignet sind.

- Breitband-Lücke: SiC hat eine breite Bandlücke (ca. 3,3 eV), wodurch es in Umgebungen mit hoher Temperatur, hoher Leistung und Strahlung hervorragend arbeitet.

- hohe Wärmeleitfähigkeit: Siliziumcarbid weist eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf, die zur Wärmeableitung beiträgt und die Arbeitsstabilität und Lebensdauer des Geräts verbessert.

- Hochtemperaturbeständigkeit: SiC kann bei hohen Temperaturen stabil arbeiten und eignet sich für Anwendungen in extremen Umgebungen.

Merkmale derHPSI SiC

* Bitte kontaktieren Sie uns, wenn Sie individuelle Anforderungen haben.

Anwendung von HPSI

- Leistungselektronik: zur Herstellung effizienter Leistungsumwandler und Wechselrichter verwendet, weit verbreitet in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und Stromübertragungssystemen.

-RF-Geräte: In Kommunikations- und Radarsystemen können SiC-Wafer die Signalverarbeitungsleistung und die Frequenzantwort verbessern.

- Hochtemperatursensoren: Hochtemperatursensoren für Öl, Gas und Luftfahrt.

Häufig gestellte Fragen

1. Q:Was ist der Unterschied zwischen SI und SiC?

A:SiC ist ein Breitband-Halbleiter mit einer Bandbreite von 2,2 bis 3,3 Elektronenvolt (eV).

2F:Warum ist Siliziumkarbid so teuer?

A: Weil sDie Herstellung von Siliziumkarbidprodukten ist schwierig und erfordert komplexe Produktionsprozesse wie hohe Temperatur und hohen Druck.