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GaSb

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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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Transparente orangefarbene GaP-Wafer ohne Doppelung P-Typ N-Typ 200um 350um 5G Licht emittierend

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GaP Halbisolierte Wafer P Typ N Typ 400um 500um Grüne LED Rot Grüne Lichtemission

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Schwarze Indium-Phosphid-Oblate, Halbleiterwafer für LD-Anwendung

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Primär-/blinde Grad-Indium-Phosphid-Oblaten-Stärke 350um für LD

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Germanium-einzelne Kristall-Indium-Phosphid-Wafer fertigte optische Linse 4/6 Zoll GEs besonders an

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Platten-Indium-Phosphid-Oblaten-ausgezeichnetes Halbleiter-Material GEs optische

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3,58 Oblaten-Magnesium-Oxid-Kristall-Substrat Dichte-MgO-Substrat-/MgO

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GaSb

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Indiumphosphat Wafer InP Halbleiter Substrate Epitaxial 2'' 3' 4' Dicke 350um

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"2" S Doped GaP Halbleiter EPI Wafer N Typ P Typ 250um 300um Leuchtdioden

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2' 4' InP Wafer Indium Phosphid Wafer Halbleiter Substrate 350um 650um

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InAs Wafer Doped Zn 2 Zoll Indium-Arsenid Wafer Dia 50mm Dicke 500um <100> angepasst

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