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China Kupfer-Wärmebecken-Substrat Flachboden-Pin-Typ Hochleistungs-elektronische Vorrichtung Cu≥99,9% distributeur
Kupfer-Wärmebecken-Substrat Flachboden-Pin-Typ Hochleistungs-elektronische Vorrichtung Cu≥99,9%

Indium-Phosphid-Oblate

(34)
China Platten-Indium-Phosphid-Oblaten-ausgezeichnetes Halbleiter-Material GEs optische Fabrik

Platten-Indium-Phosphid-Oblaten-ausgezeichnetes Halbleiter-Material GEs optische
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Germanium-einzelne Kristallscheiben, optische Platten GEs Germaniumsubstrate Anwendung: Germaniumoblate benutzt in der Produktion des Halbleiterbauelements, optisches Gerät des Infrarotstrahls, sinkendes ... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China Primär-/blinde Grad-Indium-Phosphid-Oblaten-Stärke 350um für LD Fabrik

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2inch N-artige P-artige Indium-Phosphid Grad des Primärgrades der Stärke 350um blinde Kristallinp-Substratoblate für LD Material des einzelnen Kristalles des Indiumphosphids ist eins des meisten wichtigen ... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China 3,58 Oblaten-Magnesium-Oxid-Kristall-Substrat Dichte-MgO-Substrat-/MgO Fabrik

3,58 Oblaten-Magnesium-Oxid-Kristall-Substrat Dichte-MgO-Substrat-/MgO
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MgO-Substrate, 10X10mm MgO-Oblate, Halbleiterwafer, Magnesiumoxid-(MgO)-Kristallsubstrat, Kristalllieferant MgO-OBLATE 5x5mm Produkt-Beschreibung:Magnesiumoxid (MgO) ist für monokristallines Substrat ist weit ... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China Schwarze Indium-Phosphid-Oblate, Halbleiterwafer für LD-Anwendung Fabrik

Schwarze Indium-Phosphid-Oblate, Halbleiterwafer für LD-Anwendung
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2inch 3inch 4inch InP-Substrate für LD-Anwendung, Halbleiterwafer, InP-Oblate, einzelne Kristallscheibe InP führen ein Einzelner Kristall InP Das tCZ Wachstum (geänderte Czochralski-Methode) wird verwendet, um ... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Schablone 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

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