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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

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[silicon substrate ]

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358

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8inch Dia100mm 0001 Sapphire Wafer 1sp oder 2sp für Halbleiter-Fördermaschine

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Mehrfache Größen Saphir Ingot AL203 Wärmebeständigkeit Korrosionsbeständigkeit Hohe Härte Anpassung unterstützt

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Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden

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VIS-NIR-Kamera CCD Kontur-IR Kontur-M Digitalkamera 400-1700nm Mehrspektralkamera

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4H-N 4inch 6inch sic Oblaten-Halbleiter-Material für SBD MOS Device

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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie

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Diamantdraht / Mehrdraht / Hochgeschwindigkeits- / Hochpräzisions- / Absteigende / Schwingende Schneidmaschine

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Al2O3 Saphir Wafer Monokristalline Durchmesser 2 Zoll 3 Zoll Anpassung

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8-Zoll SiC Epitaxie-Wafer Durchmesser 200mm Dicke 500µm 4H-N Typ

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8 Zoll Quarz-Wafer Durchmesser 200mm TTV ≤10μm Ra ≤1.0 Nm Für Hochpräzisionssensoren

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der Wachstums-Methode P 6Inch VGF Art GaAs-Oblaten GaAs-Substrate

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Undoped transparente Silikonkarbid sic optische Kristalllinse mit Härte 9,2

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4inch SSP Sapphire Wafer Quartz Glass Thickness 0.1mm 0.15mm 0.2mm

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2 " 3 " FZ SiO2 Einzelkristall IC Chips 100um 200um Trockene nasse Oxidationsschicht 100nm 300nm

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SiC Ceramic Tray for LED Wafer Epitaxy and ICP Etching Processes

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Transparente farblose kundengebundene SIC Linse HPSI 4H-SEMI

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SiC-Keramik-Kugellager G5-Gütegrad hohe Härte

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12 Zoll Sic Wafer Siliziumkarbid 4H-N Typ Produktionsgrad Dummy Grade Große Größe

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Sic 3C-N Typ Größe Bearbeitung Leiter Typ für Radarsysteme Null MPD Produktionsstufe

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kundengebundene Oblatenchips der Größe 4h-n 6h-semi der Größe 5x5 10x10mm sic

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SiC Ingot 6 Zoll Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Hohe Härte Ingot

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SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

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