Lithium-Niobat-Dünnfilm-LNOI-Wafer mit optischem Verlust < 0,05 DB/cm

Lithium-Niobat-Dünnfilm-Wafer mit optischem Verlust < 0,05 dB/cm

LNOI-Wafer (Lithium Niobate on Insulator) sind ein leistungsstarkes, integriertes Photonik-Substrat, das durch fortschrittliche Waferbindungstechnologien (z. B. Smart CutTM oder direkte Bindung) hergestellt wird.Einheitliche LiNbO3-Dünnfolien mit einer Dicke von 100 nm bis 1 μm auf isolierende Substrate (wie SiO2/Si oder Saphir) integrieren. ZMSH bietet 4-Zoll-, 6-Zoll- und maßgeschneiderte LNOI-Wafer mit mehreren Kristallorientierungen (X-Schnitt, Y-Schnitt, Z-Schnitt) mit anpassbarem Filmdoping (z. B.MgO-Doping zur Verbesserung der optischen Schadensschwelle) und der Dicke der vergrabenen Oxidschicht (100nm-2μm)Die Substratoptionen umfassen Silizium, Quarz oder Siliziumkarbid, um unterschiedliche optoelektronische Integrationsbedürfnisse zu erfüllen.einschließlich Filmoptimierung, Wellenleitungs-Etschen und Testdienste auf Gerätenebene, die Spitzentechnologieanwendungen in der Hochgeschwindigkeitsoptischen Kommunikation und im Quantencomputing ermöglichen.

Spezifikation für X-Schnitt Lithiumniobat auf Isolator (LNOI) -Wafer

Schlüsselmerkmale derLNOI-Wafer

(1) Ultraschwacher optischer Verlust: Wellenleitungsverlust < 0,05 dB/cm (1550nm-Band), 10-mal geringer als bei herkömmlichen LiNbO3-Geräten.

(2) Starke elektrooptische Wirkung: Effektiver elektrooptischer Koeffizient (r33) bis zu 90 pm/V (dreifache Verstärkung durch Optikfeldbeschränkung) und ermöglicht eine Modulation der ultra-niedrigen Spannung (Vπ~1V).

(3) Hohe Integrationsdichte: Unterstützt submikronen Wellenleitungen (Breite < 1 μm), wodurch der Abdruck des Geräts im Vergleich zu LiNbO3 um das 100-fache reduziert wird.

(4) CMOS-Kompatibilität: Ermöglicht eine heterogene Integration mit Siliziumphotonik (SiPh) und Siliziumnitrid (SiN) -Plattformen für multifunktionale Photonische Chips.

(5) Wärmestabilität: Curie-Temperatur bis 1140°C, geeignet für Hochtemperaturverpackungen.

Hauptanwendungen vonLNOI-Wafer

1. Hochgeschwindigkeitsoptische Kommunikation: Die starke elektrooptische Wirkung des LNOI macht es ideal für kohärente optische Module von 200 Gbps +, wie z. B. Dünnschicht-LiNbO3-Modulatoren (Bandbreite > 100 GHz).

2Quantenoptik: Eigenschaften mit geringem Verlust unterstützen die Erzeugung von verflochtenen Photonpaaren und die Manipulation von Quantenzuständen für skalierbare Quantencomputernetzwerke.

3. Mikrowellenphotonik: In Kombination mit piezoelektrischen Effekten ermöglicht es optische Phasen-Arrays und Mikrowellen-Fotonenfilter (die 5G/6G mmWave-Bänder abdecken).

4Nichtlineare Optik: hoher nichtlinearer Koeffizient (χ(2)), geeignet für Frequenzkämme und parametrische Verstärker.

5. Anwendungen für Sensoren: Verwendet in hochempfindlichen biochemischen Sensoren (z. B. Silizium-basierte LNOI-Mikroringresonatoren).

Dienstleistungen der ZMSH

Als führender Anbieter von integrierten Photonik-Substraten bietet ZMSH ein umfassendes Spektrum an technischen Dienstleistungen, die die gesamte LNOI-Wertschöpfungskette abdecken, einschließlich maßgeschneiderter Dünnschichtentwicklung (z. B.Gradient-doppiertes LiNbO3), Entwicklung von Bindungsprozessen auf Waferebene (die SiO2, AlN und andere Isolationsschichten unterstützen), Nanofabrikation (EBL und IBE) und Leistungsüberprüfung auf Geräteebene (z. B.Elektrooptische Reaktionsprüfung und THz-Charakterisierung). ZMSH hat eine Produktion von 6-Zoll-LNOI-Wafern in kleinen Chargen mit einer Ausbeute von > 90% erreicht,und arbeitet mit globalen Forschungseinrichtungen zusammen, um 8-Zoll-LNOI und heterogene Integrationstechnologien (eDie Zukunft der FuE konzentriert sich auf die Verringerung des Einsatzverlustes (Ziel < 0.02 dB/cm) und Verbesserung der Modulationseffizienz (r33-Optimierung auf 120 pm/V) zur Erfüllung der Anforderungen an die optische Kommunikation und das Quanteninternet im 800G-Bereich.