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Haus PRODUKTE silicon substrate On-line-Hersteller

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Synthetischer Saphir Rod

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Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

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Mr. Wang

eric_wang@zmsh-materials.com

+8615801942596

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[silicon substrate ]

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358

PRODUKTE

HPSI-Hochreine SiC-Wafeln mit Halbdämmung von 2 × 3 × 4 × 6 × 8 × Prime/Dummy/Research Grade

Erhalten Sie besten Preis

Al₂O₃ Saphir Wafer, Abweichung von der C-Achse zur M-Ebene 8°, Durchmesser: 2" – 8", Kundenspezifische Dicke

Erhalten Sie besten Preis

Saphir-Wafer abseits der C-Achse in Richtung M-Ebene 20° Al2O3 Dia 2"3"4"6"8"

Erhalten Sie besten Preis

Kundenspezifische Quarzoptikfenster unregelmäßiger Form JGS1 / JGS2 / BF33 Güte

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Video

Zweiseitige Präzisionsschleifmaschine für Metalle/Nichtmetalle/Keramik/Kunststoffe

Erhalten Sie besten Preis

JGS1 JGS2 Wafer Optische Quarzglasscheiben 2-12 Zoll

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GaN On Diamond And Dimond auf GaN Wafer By Epitaxial HEMT und Abbinden

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GaAs-Laser-Epitaxialwafer Gallium-Arsenid-Wafer VCSEL/PD-Expitaxialwafer für intelligente Sensorik

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Lithium-Niobat-Dünnfilm-LNOI-Wafer mit optischem Verlust < 0,05 DB/cm

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Video

TGV (Through-Glass Via) Technologie Hochwertiges Borosilikatglasquarz

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Video

Diamantdraht / Mehrdraht / Hochgeschwindigkeits- / Hochpräzisions- / Absteigende / Schwingende Schneidmaschine

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Al2O3 Saphir Wafer Monokristalline Durchmesser 2 Zoll 3 Zoll Anpassung

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8-Zoll SiC Epitaxie-Wafer Durchmesser 200mm Dicke 500µm 4H-N Typ

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8 Zoll Quarz-Wafer Durchmesser 200mm TTV ≤10μm Ra ≤1.0 Nm Für Hochpräzisionssensoren

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2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren

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6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation

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Ausrüstung zum Schneiden von Keramiken Ein- oder Mehrdraht-Diamantdrahtschneiden

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2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität

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