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Guter Preis 2 Zoll N-Typ 6H Polytyp Siliziumkarbid Substrat Optoelektronik Galliumnitrid Wachstum Online
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Sic besonders angefertigt GaN-auf-GaN Durchmesser 100mm Silikon-Sapphire Substrate Epitaxial Wafer-4inch

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300mm Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-Silikon für Energie Mikro-LED

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GaN-auf-Si-GaN-auf-SICs Epi 4Inch 6INCH Oblaten für Rf-Anwendung

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GaN-Auf-Si EPI-WAFERS 8INCH 12INCH 6INCH für Anwendung Energie Rfs LED

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4 Zoll GaN-on-Si Wafer Galliumnitrid Wafer Epi-Wafer 6 Zoll 8 Zoll Härte 9,0 Mohs für die Leistung RF LED

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HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe

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Substrat HVPE GaN oder Oblate GaN Templates EPI für Rf-Anwendungen

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GaN-Oblate Gallium-Nitrid-Oblate Leistungsfähigkeit der hohen Leistung für Energiesparende Beleuchtung

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4' 6' AIN auf Siliziumsubstraten SSP DSP Halbleiter Wafer 100nm 200nm Schicht

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4'' 200nm AlScN auf Siliziumwafern SSP DSP Epitaxialsubstrate für LED-Geräte

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