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[ GaN on Silicon ]

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Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

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6 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 150mm Dicke 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade

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4H-N Typ / Halbisolierende Siliziumkarbid SiC Substrate

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Besorgen Polieroblate der ultradünnen Doppelt-Seite des Saphirs 2inch der Stärke 0.1mm 0.2mm Online-Herstellung Video

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12-Zoll-Saphirwafer: C-Ebene SSP / DSP Optoelektronische Bauelemente 12 Zoll Industriequalität

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