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Guter Preis Anpassungsfähige Saphirröhrchen KY-Methode, 4
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Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

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Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden

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Kundenspezifische leitfähige Art sic Oblate für Hochspannungs-Starkstromgerät-Solarphoto-voltaisches der hohen Temperatur

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Silikon-Karbid-Oblaten-sic Oblaten-blinde Forschungs-Hauptgrad 2inch 4inch 6inch 8Inch

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sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

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4H-N 4inch 6inch sic Oblaten-Halbleiter-Material für SBD MOS Device

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4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

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8inch DSP 4H sic Art des Oblaten-Silikon-Karbid-Substrat-Produktions-Grad-N für Experiment

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4H-N Typ / Halbisolierende Siliziumkarbid SiC Substrate

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Hochpräzision SIC Siliziumkarbid Keramik Chuck Keramik Element Vakuumsupper Anpassung

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