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eric_wang@zmsh-materials.com

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2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität

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SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial

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8-Zoll SiC Epitaxie-Wafer Durchmesser 200mm Dicke 500µm 4H-N Typ

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6H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 6 Zoll SIC Wafer 4H-P für optoelektronische Geräte

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4H-N Siliziumkarbid SiC-Substrat 8 Zoll Dicke 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

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SiC Ingot 6 Zoll Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Hohe Härte Ingot

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2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren

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Doppelseitig polierte SiC-Spiegel mit hoher Reinheit, optische Komponente für MEMS-Mikrospiegel

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Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum

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Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

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SiC Components SiC Ceramics Structural Parts

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Sic 3C-N Typ Größe Bearbeitung Leiter Typ für Radarsysteme Null MPD Produktionsstufe

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SiC-Keramik-End-Effektor für die Wafer-Behandlung

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SiC Dummy Wafer für Halbleiterprozessstabilisierung und Ausrüstungskonditionierung

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SiC-Keramik-Bootträger für Wafer-Handling

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330um der Stärke-4 H-N Types Substrat-Produktions-Grad Dia50.8mm 2inch sic

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6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation

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4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade

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High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

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4H-SEMI SiC Substrat 2 Zoll Dicke 350µm 500µm Prime/Dummy Grade AR-Gläser Optische Güte

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