Halb- isolierendes Silikon-Karbid-Substrat, sic hoher Reinheitsgrad der Oblaten-4H

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Anwendungen von sic Kristallsubstraten und von Oblaten

Silikonkarbid (sic) crytsals haben einzigartige körperliche und elektronische Eigenschaften. Basierte Geräte des Silikon-Karbids sind für kurzwelliges optoelektronisches, hohe Temperatur, strahlungsresistente applciations benutzt worden. Die starken und Hochfrequenzelektronischen geräte, die mit sic hergestellt werden, sind Si und GaAs basierten Geräten überlegen. Sind unten einige populäre Anwendungen von sic Substraten.

Geräte der hohen Temperatur

Weil sic eine hohe Wärmeleitfähigkeit hat, zerstreut sic Hitze schnell als andere Halbleitermaterialien. Dieses ermöglicht sic Geräten, auf Niveaus der hohen Leistung extrem betrieben zu werden und zerstreut noch die großen Mengen der überschüssigen Hitze erzeugt von den Geräten.

Hochfrequenzstarkstromgeräte

SIC-ansässige Mikrowellenelektronik werden für drahtlose Kommunikationen und Radar verwendet.

III-V Nitrid-Absetzung

Epitaxial- Schichten GaN, AlxGa1-xN und InyGa1-yN auf sic Substrat oder Saphirsubstrat.

Gallium-Nitrid-Epitaxie auf sic Schablonen werden verwendet, um blaue lichtemittierende Dioden (blaue LED) und und fast blinde UVsolarphotodetektoren zu fabrizieren

Optoelektronische Geräte

Sic basierte Geräte haben niedrige Gitterfehlanpassung mit Epitaxial- Schichten des III-Nitrids. Sie haben hohe Wärmeleitfähigkeit und können für die Überwachung von Verbrennungsprozessen und für allerlei UV-Entdeckung verwendet werden.

SIC-ansässige Halbleiterbauelemente können unter sehr feindlicher Umwelt, wie hoher Temperatur, hoher Leistung und hohen Strahlungszuständen arbeiten.

Geräte der hohen Leistung

Hat sic die folgenden Eigenschaften:

Hohes elektrisches Zusammenbruchfeld der breiten Energie-Bandlücke

Hohe hohe Wärmeleitfähigkeit der SättigungsDriftgeschwindigkeit

Sic wird für die Herstellung von sehr Hochspannungs- und starken Geräten wie Dioden, Energie transitors und Mikrowellengeräten der hohen Leistung verwendet. Verglichen mit herkömmlichen Si-Geräten, haben SIC-ansässige Starkstromgeräte höhere Spannungen der schnelleren Schaltverzögerung, die niedrigeren parasitären Widerstände, kleiner, weniger abkühlendes erforderliches wegen der Hochtemperaturfähigkeit.

Hat sic höhere Wärmeleitfähigkeit als GaAs- oder Sibedeutung, die sic Geräte an den höheren Energiedichten als entweder GaAs oder Si theoretisch laufen lassen können. Die höhere Wärmeleitfähigkeit, die mit großer Bandlücke kombiniert werden und das hohe Entscheidungsfeld geben sic Halbleitern einen Vorteil, wenn hohe Leistung eine wünschenswerte Gerätschlüsseleigenschaft ist.

Z.Z. ist Silikonkarbid (sic) für hohe Leistung MMIC weit verbreitet

Anwendungen. Sic wird auch als Substrat für Epitaxie von GaN für sogar Geräte der höheren Energie MMIC verwendet

2. Substratgröße des Standards

3. Bilder