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substrat sic

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kaufen 4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches Online Hersteller

4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches
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2023-05-16 15:06:19
kaufen Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic Online Hersteller

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic
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2023-05-11 14:23:27
kaufen Sic Siliziumkarbid-Substrat 6H-P-Typ auf Achse 0° Mohs-Härte 9,2 für Lasergerät Online Hersteller

Sic Siliziumkarbid-Substrat 6H-P-Typ auf Achse 0° Mohs-Härte 9,2 für Lasergerät
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2025-02-21 16:42:38
kaufen BLINDE Hauptgrad 6inch Silikonkarbid sic Stärkesubstrate Oblaten-0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi Online Hersteller

BLINDE Hauptgrad 6inch Silikonkarbid sic Stärkesubstrate Oblaten-0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi
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2020-07-17 15:01:02
kaufen 4° Außerhalb der Achse SiC-Substrat 2 Zoll Hochtemperaturanwendungen Epitaxialwafer Online Hersteller

4° Außerhalb der Achse SiC-Substrat 2 Zoll Hochtemperaturanwendungen Epitaxialwafer
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2024-05-29 11:51:08
kaufen 2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad Online Hersteller

2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad
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2025-02-21 16:42:38
kaufen Sic 3C-N Typ Größe Bearbeitung Leiter Typ für Radarsysteme Null MPD Produktionsstufe Online Hersteller

Sic 3C-N Typ Größe Bearbeitung Leiter Typ für Radarsysteme Null MPD Produktionsstufe
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2025-01-24 13:46:57
kaufen Silikonkarbid Wafer Sic Substrat 4H-P Typ Off Achse 4,0° auf Null Online Hersteller

Silikonkarbid Wafer Sic Substrat 4H-P Typ Off Achse 4,0° auf Null
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2025-02-21 16:42:38
kaufen sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter Online Hersteller

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter
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2019-07-10 17:43:54
kaufen blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate Online Hersteller

blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate
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2020-07-17 15:03:47
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Schablone 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

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