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substrat sic

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kaufen 12 Zoll Sic Einzelkristall Siliziumkarbid Substrat Große Größe Hohe Reinheit Durchmesser 300 mm Produktqualität Für 5G-Kommunikation Online Hersteller

12 Zoll Sic Einzelkristall Siliziumkarbid Substrat Große Größe Hohe Reinheit Durchmesser 300 mm Produktqualität Für 5G-Kommunikation
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2025-02-21 14:58:31
kaufen SiC-Kristallwachstumsöfen PVT LPE HT-CVD hochwertige SiC-Kristallwachstumsmethode Online Hersteller

SiC-Kristallwachstumsöfen PVT LPE HT-CVD hochwertige SiC-Kristallwachstumsmethode
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2025-02-21 16:42:38
kaufen 4 Stärke H-N As-Cut Silicon Carbide-Oblaten-0.5mm für Leistungselektronik Online Hersteller

4 Stärke H-N As-Cut Silicon Carbide-Oblaten-0.5mm für Leistungselektronik
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2022-06-23 10:13:53
kaufen SIC Crystal Silicon Carbide Wafer Online Hersteller

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer
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2020-10-30 18:38:34
kaufen Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten Online Hersteller

Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten
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2025-02-21 16:42:38
kaufen 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll SiC Substrat 330um Dicke 4H-N Typ Produktionsgrad Online Hersteller

2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll SiC Substrat 330um Dicke 4H-N Typ Produktionsgrad
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2024-05-29 11:51:08
kaufen Silikonkarbid (SiC) -Substrat für hochwertige industrielle Anwendungen Online Hersteller

Silikonkarbid (SiC) -Substrat für hochwertige industrielle Anwendungen
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2024-05-22 13:44:43
kaufen SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial Online Hersteller

SiC-Substrat mit einer Dicke von 4H-N 350um, verwendet in der Optoelektronik als Halbleitermaterial
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2024-06-26 10:36:52
kaufen 4 Zoll 3C-N-Typ SiC-Substrat Siliziumkarbid Substrat Dicke 350um Prime-Qualität Dummy-Qualität Online Hersteller

4 Zoll 3C-N-Typ SiC-Substrat Siliziumkarbid Substrat Dicke 350um Prime-Qualität Dummy-Qualität
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2024-08-27 09:58:42
kaufen 4H-SEMI SiC-Substrat-Schnittscheibe Durchmesser 10 mm Dicke 5 mm <0001> Hohe Härte Online Hersteller

4H-SEMI SiC-Substrat-Schnittscheibe Durchmesser 10 mm Dicke 5 mm <0001> Hohe Härte
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2024-08-27 09:59:55
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Schablone 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

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