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4H-N 8inch Halbleiter-Substrat SIC-Silikon-Karbid-Oblate für Solarphoto-voltaisches

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kaufen kundengebundene Oblatenchips der Größe 4h-n 6h-semi der Größe 5x5 10x10mm sic Online-Herstellung Video

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kaufen Blinde des Grad-6Inch sic Stärke Substrat-der Oblaten-Dia150mm 4H-N 500mm Online-Herstellung

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kaufen Widerstandskraft >1E7ohm.cm sic Substrat durch customzied Form Online-Herstellung

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kaufen 10x10mm 5x5mm sic Substrat-Widerstandskraft 0.015-0.028ohm. Cm oder >1E7ohm.Cm bricht sic ab Online-Herstellung

10x10mm 5x5mm sic Substrat-Widerstandskraft 0.015-0.028ohm. Cm oder >1E7ohm.Cm bricht sic ab

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SiC-Wafer aus Siliziumkarbid 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Typ Prime / Dummy / Forschungsgrad

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kaufen sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter Online-Herstellung

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SiC-Samen-Wafer 6" 8" 4H-N-Typ Produktionsgrad Dummy-Grad für SiC-Wafer-Wachstum

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kaufen blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate Online-Herstellung

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kaufen sic Laser, der sic Service für Chips durch 0.5x0.5mm quadratische Platten schneidet Online-Herstellung

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kaufen 4H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 4 Zoll SIC Wafer 6H-P Für III-V Nitride Ablagerung Online-Herstellung

4H-P Siliziumkarbid SiC Substrat 4 Zoll SIC Wafer 6H-P Für III-V Nitride Ablagerung

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kaufen 2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor Online-Herstellung

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kaufen Kundengebundene Größen-Silikon-Karbid-Substrat-Härte 9,4 sic Teile für Ausrüstung Online-Herstellung

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kaufen Kundengebundene Größen-Quadrat-sic Chip-niedrige Gitter-Fehlanpassung mit hoch thermischem Online-Herstellung Video

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kaufen Karbid-Oblaten 6H oder 4H des Silikon-2Inch, die Substrate N-artig oder sic Halb-isoliert worden sein würden Online-Herstellung

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kaufen 4 H-N Production Grade Dummy Grad-sic Substrat-Oblate 8inch Dia200mm Online-Herstellung Video

4 H-N Production Grade Dummy Grad-sic Substrat-Oblate 8inch Dia200mm

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kundengebundene Oblatenchips der Größe 4h-n 6h-semi der Größe 5x5 10x10mm sic

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