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Ihre Suche  [ GaN on Diamond ]  Übereinstimmung 61 PRODUKTE

12 Zoll C-aixs Al2O3 Saphir Wafer DSP Durchmesser 304,8 mm

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Besorgen 2 Zoll Saphir Wafer Al2O3 monokristalline Dia 50,80mm Dicke 430um BOW <10 A-Ebene Online-Herstellung Video

2 Zoll Saphir Wafer Al2O3 monokristalline Dia 50,80mm Dicke 430um BOW <10 A-Ebene

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6 Zoll 4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat Dia 150mm Dicke 350um 500um N Typ Prime Grade Dummy Grade

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Besorgen Erwachsener Saphir Kristall Boule Saphir Ingot KY Kyropoulos Methode 80 kg bis 300 kg Online-Herstellung Video

Erwachsener Saphir Kristall Boule Saphir Ingot KY Kyropoulos Methode 80 kg bis 300 kg

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SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum

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Besonderheiten für die Bearbeitung von Wafern

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Anpassungsfähige Saphirröhren EGS-Methode 10 mm ≈ 100 mm poliert

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Saphir-Rohrlänge 50,8 mm Druckbeständig individuell angepasst Größe Einzelkristall Al2O3

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60 mm Saphir Wafer 3 mm Dicke optisches Infrarotfenster

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Besorgen Saphir-Quadratplatte Einkristall Al₂O₃ 5,5×5,5mm Dicke 6,04 mm Online-Herstellung Video

Saphir-Quadratplatte Einkristall Al₂O₃ 5,5×5,5mm Dicke 6,04 mm

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Besorgen Saphir-Quadrat-Rohwafer-Rohling für optische, Halbleiter- und Hochtemperaturanwendungen Online-Herstellung Video

Saphir-Quadrat-Rohwafer-Rohling für optische, Halbleiter- und Hochtemperaturanwendungen

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Hochwertige 4H-N-Siliziumkarbid-Substrate (12 Zoll/300 mm) für Hochleistungsgeräte

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