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Guter Preis Anpassungsfähige Saphirröhrchen KY-Methode, 4
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Besorgen Wafer-Bindungsausrüstung Raumtemperatur Bindung in Hydrophiler Bindung Si-SiC Si-Si Bindung 2 -12 Zoll Online-Herstellung Video

Wafer-Bindungsausrüstung Raumtemperatur Bindung in Hydrophiler Bindung Si-SiC Si-Si Bindung 2 -12 Zoll

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Besorgen Anpassungsfähige KY-gewachsenen Saphirröhren Hohe Härte, poliert, überlegene thermische und mechanische Eigenschaften Online-Herstellung Video

Anpassungsfähige KY-gewachsenen Saphirröhren Hohe Härte, poliert, überlegene thermische und mechanische Eigenschaften

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Besorgen Mikrofluidische Laserausrüstung für die Verarbeitung von Halbleiterwafern Online-Herstellung Video

Mikrofluidische Laserausrüstung für die Verarbeitung von Halbleiterwafern

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Sic Wafer HPSI:Hochreine Halbisolierung

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Saphirwafer:Hohe Härte Ausgezeichnete elektrische Isolierung Gute Wärmeleitfähigkeit

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8 Zoll Saphirwafer:Synthetische Einkristall Al2O3 anpassbar A/R/M-Fläche 4N5-5N Hohe Reinheit

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4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade

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Besorgen 4-Zoll C-Ebene SSP Saphir Substrat Al₂O₃ für LED- und optische Anwendungen Online-Herstellung Video

4-Zoll C-Ebene SSP Saphir Substrat Al₂O₃ für LED- und optische Anwendungen

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2 Zoll N-Typ 6H Polytyp Siliziumkarbid Substrat Optoelektronik Galliumnitrid Wachstum

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Mikro-Jet-Laser-Ausrüstung für das Abrunden von Silikonkarbid-Wafer und das Aufteilen von Wafer auf Silikonbasis

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Besorgen ​​Saphir-Rohling 118 mm×74 mm×8 mm hohe Härte für Infrarotfenster​​ Online-Herstellung Video

​​Saphir-Rohling 118 mm×74 mm×8 mm hohe Härte für Infrarotfenster​​

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SiC-Keramik-End-Effektor für die Wafer-Behandlung

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