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PRODUKTE

Saphir-Oblate

Kleine quadratische Saphir-Komponenten/kundenspezifische Saphir-Glas-Verschleißfestigkeit

Sic Substrat

2inch Forschungs-Grad-einzelner Kristall Durchmessers 50.8mm sic Substrat-4H-Semi

4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch

6inch Art sic Substrat Durchmessers 150mm 350um Stärke-4H N für SBD MOS Application

sic besonders angefertigt 4 Silikon-Karbid-Oblaten H-N Type Semi-Insulatings Substrat-4inch 6inch

10 Millimeter X 10 6H Halb-isolierender Millimeter Art-sic Substrat-Forschungs-Grad sic Crystal Substrate

8inch DSP 4H sic Art des Oblaten-Silikon-Karbid-Substrat-Produktions-Grad-N für Experiment

Saphir optisches Windows

Doppelte Seiten-Poliersaphir Windows für Fingerabdruck-Anerkennungs-Anwendungen

IC-Siliziumscheibe

Schwarzes 8 Zoll IC-Siliziumscheibe-Silikon-Barren Polysilicon für Halbleiter-Prozess

Draht sah Maschine

Maschine zum Schneiden von Natursteinen mit mehreren Drähten

Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden

Diamantdraht-Ein- oder Mehrfachdrahtsäge für die Verarbeitung von Halbleiterwafern

Synthetischer Saphir Rod

Elektronische Keramik-synthetischer Saphir Rod mit 99,999% Materialien Al2O3

Fixierter Quarz-Platte

Chemiefasergewebe-fixierter Quarz-Platte des Grad-GS1, Quarz-optische Fenster 2.2g/cm ³ Dichte

120 x 120mm fixierter Quarz-Platte kundengebundene quadratische Form für elektronisches Licht

Saphir-Teile

Zyklische ringförmige Poliersaphir-Teile mit Schritt für Saphir-Abnutzungs-widerstehende Anwendungen

Polieroptisches Rohr des durchmesser-10mm Sapphire Al 2O3

Transparente Länge Sapphire Tubes 220mm des rauen freien Raumes

Kundengebundene Größen-lochende Saphir-Platten-Korrosionsbeständigkeits-Widerstands-hohe Hitze

Hoher Dielektrizitätskonstante-Saphir zerteilt einzelner Kristall-Saphir-optische Glasstäbe

Einzelner Druck beständige Sapphire Glass Tube Crystal Als 2O3

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Magnetische Aufhängung Zentrifugalluftkompressor 45%-100% Dauermagnet Frequenzumwandlung Zentrifugaltechnologie

Glaslaser Präzisionsschneidemaschine Glasverarbeitung UV-Laser CNC-System

Teile für die Präzisionsbearbeitung von kleinen Tischlaserperforatoren mit Mikrometeröffnung

SiC-Kristallwachstumsöfen PVT LPE HT-CVD hochwertige SiC-Kristallwachstumsmethode

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

N / P schreiben Germanium-Oblate, Germanium-Optik-Platten-Durchmesser 0,5 | 150mm

Platten-Indium-Phosphid-Oblaten-ausgezeichnetes Halbleiter-Material GEs optische

Primär-/blinde Grad-Indium-Phosphid-Oblaten-Stärke 350um für LD

3,58 Oblaten-Magnesium-Oxid-Kristall-Substrat Dichte-MgO-Substrat-/MgO

keramisches Substrat

Keramischer Zylinder der Spiegel-Poliersilikon-Karbid-Rohr-Verschleißfestigkeits-Al2O3

Sondergröße-keramische Substrat-/Silikon-Karbid-keramische ausgezeichnete Korrosion

6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung

Kundengebundenes Größen-Silikon-Karbid, das keramische Reinheit des Laufring-98% poliert

Keramische Oblaten-ausgezeichnete elektrische Eigenschaften des Substrat-Al2O3 für Gleitringdichtungen

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

Undoped halb- isolierende Gallium-Nitrid-Oblate HVPE und Schablonen-Art

GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP

HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe

Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll

GaAs-Oblate

N - Schreiben Sie Galliumarsenid-Wafer GaAs einzelner Kristall-Substrate 2 - 6 Zoll

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