Hervorheben:
350um SiC-Substrat
, 100 mm SiC-Substrat
, 4 Zoll SiC-Substrat
4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade
4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade
Beschreibung des Produkts
4H-N Siliziumkarbid SiC Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Prime Grade Dummy Grade
Siliziumcarbid (SiC), allgemein als Siliziumcarbid bezeichnet, ist eine Verbindung, die durch Kombination von Silizium und Kohlenstoff gebildet wird.mit einer Breite von mehr als 20 mmSilikonkarbid ist in der Härte nur hinter dem Diamanten, was es zu einem ausgezeichneten Schleif- und Schneidwerkzeug macht.Gute Wärmeleitfähigkeit macht es für Anwendungen bei hohen Temperaturen wie LEDs und Leistungselektronik geeignet. Gute Resistenz gegen Chemikalien, insbesondere Säuren und Alkalien. Gute Resistenz gegen Chemikalien, insbesondere Säuren und Alkalien. Gute Resistenz gegen Chemikalien, insbesondere Säuren und Alkalien.Aufgrund seiner überlegenen Eigenschaften, Siliziumkarbid-Samenkristalle sind zu einem unverzichtbaren Material in der modernen Industrie und Technologie geworden.
Die 4-Zoll-Wafer aus 4H-N-Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit einer 4H-Polytyp-Kristallstruktur.
Es ist typischerweise als (0001) Si- oder (000-1) C-Gesicht ausgerichtet.
Diese Wafer sind N-Typ, mit Stickstoff bestückt und haben eine Dicke von etwa 350 μm.
Die Widerstandsfähigkeit dieser Wafer liegt in der Regel zwischen 0,015 und 0,025 Ohmcm, und sie haben oft eine polierte Oberfläche auf einer oder beiden Seiten.
Silikonkarbidwafer sind für ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit bekannt.
Und auch für eine breite Bandbreite von 3,23 eV, ein hohes elektrisches Feld und eine signifikante Elektronenmobilität.
Sie weisen eine hohe Härte auf, was sie gegen Verschleiß und thermische Stoßbelastungen widerstandsfähig macht und eine außergewöhnliche chemische und thermische Stabilität aufweist.
Diese Eigenschaften machen SiC-Wafer für Anwendungen in rauen Umgebungen, einschließlich Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenz-elektronischen Geräten, geeignet.
SiC-Wafer Eigenschaften:
Produktbezeichnung: Siliziumkarbid (SiC) Substrat
Hexagonale Struktur: Einzigartige elektronische Eigenschaften.
Breite Bandbreite: 3,23 eV, ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen und Strahlungsbeständigkeit
Hohe Wärmeleitfähigkeit: Erleichtert eine effiziente Wärmeableitung
Elektrofeld mit hohem Ausfall: Ermöglicht einen höheren Spannungsbetrieb mit geringerer Leckage
Hohe Elektronenmobilität: Verbessert die Leistung von HF- und Stromgeräten
Niedrige Dislokationsdichte: Verbessert die Materialqualität und die Zuverlässigkeit des Geräts
Hohe Härte: Widerstandsfähigkeit gegen Verschleiß und mechanische Belastungen
Ausgezeichnete chemische Stabilität: Korrosions- und Oxidationsbeständigkeit
Hohe Wärmeschlagfestigkeit: Beibehalten der Integrität bei schnellen Temperaturänderungen
Technische Parameter für SiC-Wafer:
| Eigentum |
2 Zoll |
3 Zoll. |
4 Zoll |
6 Zoll. |
8 Zoll. |
12 Zoll |
| Typ |
4H-N/HPSI/4H-SEMI,
6H-N/6H-SEMI;
|
4H-N/HPSI/4H-SEMI |
4H-N/HPSI/4H-SEMI |
4H-N/HPSI/4H-SEMI |
4H-N/HPSI/4H-SEMI |
6H-SiC (Primär) / 4H-SiC |
| Durchmesser |
50.8 ± 0,3 mm |
76.2±0,3 mm |
100 ± 0,3 mm |
150 ± 0,3 mm |
200 ± 0,3 mm |
300 ± 0,3 mm |
| Stärke |
330 ± 25 um |
350 ± 25 um |
350 ± 25 um |
350 ± 25 um |
350 ± 25 um |
500 ± 25 mm |
| 350 ± 25 μm; |
500 ± 25 μm |
500 ± 25 μm |
500 ± 25 μm |
500 ± 25 μm |
1000 ± 25 mm |
| oder angepasst |
oder angepasst |
oder angepasst |
oder angepasst |
oder angepasst |
oder angepasst |
| Grobheit |
Ra ≤ 0,2 nm |
Ra ≤ 0,2 nm |
Ra ≤ 0,2 nm |
Ra ≤ 0,2 nm |
Ra ≤ 0,2 nm |
Ra ≤ 0,2 nm |
| Warpgeschwindigkeit |
≤ 30um |
≤ 30um |
≤ 30um |
≤ 30um |
≤ 45um |
≤ 40um |
| TTV |
≤ 10um |
≤ 10um |
≤ 10um |
≤ 10um |
≤ 10um |
≤ 10um |
| Abkratzen/Gräben |
CMP/MP |
|
| MPD |
< 1ea/cm-2 |
< 1ea/cm-2 |
< 1ea/cm-2 |
< 1ea/cm-2 |
< 1ea/cm-2 |
< 1ea/cm-2 |
| Form |
Rund, flach 16 mm;Länge 22 mm;Länge 30/32,5 mm;Länge 47,5 mm; |
| Bevel |
45°, SEMI Spec; C-Form |
| Zulassung |
Produktionsgrad für MOS&SBD; Forschungsgrad; Dummy-Qualität; Seed-Wafer-Qualität |
| Anmerkungen |
Durchmesser, Dicke, Ausrichtung, Spezifikationen oben können auf Anfrage angepasst werden |
SiC-Wafer Anwendungen:
SiC (Silicon Carbide) Substrate werden aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften wie hoher Wärmeleitfähigkeit, hoher elektrischer Feldfestigkeit und breiter Bandbreite in verschiedenen Hochleistungsanwendungen verwendet.Hier sind einige Anwendungen:
1. Leistungselektronik
MOSFETs: Für eine effiziente Energieumwandlung, die hohe Spannungen und Ströme bewältigen kann.
Schottky-Dioden: In Stromgerichtlern und Schaltanwendungen verwendet, die einen geringen Vorwärtsspannungsabfall und eine schnelle Schaltung bieten.
JFETs: Ideal für Hochspannungsschalter und -verstärker.
2. HF-Geräte
HF-Verstärker: Verbessert die Leistung in der Telekommunikation, insbesondere in Hochfrequenzbereichen.
MMICs (Monolithische Mikrowellen-Integrierte Schaltungen): In Radarsystemen, Satellitenkommunikation und anderen Hochfrequenzanwendungen verwendet.
3. LED-Substrate
LEDs mit hoher Helligkeit: Durch ihre hervorragenden thermischen Eigenschaften eignen sie sich für hochintensive Beleuchtungs- und Anzeigeanwendungen.
SiC-Wafer-Anpassung:
Wir können die Größe des SiC-Substrats an Ihre spezifischen Anforderungen anpassen.
Wir bieten auch eine 4H-Semi HPSI SiC Wafer mit einer Größe von 10x10 mm oder 5x5 mm und 6H-N,6H-Semi Typ.
Der Preis hängt vom Fall ab, und die Verpackungsdetails können nach Ihren Vorlieben angepasst werden.
Die Lieferzeit beträgt 2-4 Wochen. Wir akzeptieren die Zahlung per T/T.
*Dies ist die Anpassung.
Unterstützung und Dienstleistungen für SiC-Wafer:
Unser SiC-Substrat-Produkt ist mit umfassender technischer Unterstützung und Dienstleistungen ausgestattet, um eine optimale Leistung und Kundenzufriedenheit zu gewährleisten.
Unser Expertenteam steht zur Verfügung, um bei der Produktauswahl, Installation und Fehlerbehebung zu helfen.
Wir bieten Schulungen und Unterricht über die Verwendung und Wartung unserer Produkte an, um unseren Kunden zu helfen, ihre Investition zu maximieren.
Darüber hinaus stellen wir kontinuierliche Produktaktualisierungen und -verbesserungen zur Verfügung, um sicherzustellen, dass unsere Kunden immer Zugang zu den neuesten Technologien haben.
Empfehlung konkurrierender Produkte
Erstens:
Wir sind stolz darauf, 8 Zoll große SiC-Wafer anzubieten, die größten verfügbaren, mit wettbewerbsfähigen Preisen und hervorragender Qualität.die sie zur idealen Wahl für Hochleistungs-Halbleitungs-Anwendungen machenBleiben Sie mit unserer Spitzentechnologie im Vordergrund!
4H-N 8 Zoll Halbleiter Substrat SIC Siliziumkarbid Wafer für Solar Photovoltaik
(Klicken Sie auf das Bild für mehr)
Zweite
Unser umfangreiches Sortiment an SiC-Wafern umfasst 4H-N, 6H-N, 4H-SEMI, HPSI, 4H-P und 6H-P-Typen, die verschiedenen industriellen Bedürfnissen gerecht werden.Diese hochwertigen Wafer bieten eine hervorragende Leistung für Leistungselektronik und Hochfrequenzanwendungen, die Flexibilität und
Zuverlässigkeit für Spitzentechnologien.
14H-N-Typ
4H-N 4 Zoll Siliziumnitrid SiC-Substrat Dummy-Grade SiC-Substrat für Hochleistungsgeräte
(Klicken Sie auf das Bild für mehr)
26H-N-Typ
2 Zoll Sic Substrat 6H-N Typ Dicke 350um 650um SiC Wafer
(Klicken Sie auf das Bild für mehr)
Typ 34H-SEMI
4" 4H-Semi-Hochreine SIC-Wafer Halbleiter EPI-Substrate
(Klicken Sie auf das Bild für mehr)
4HPSI-Typ
10x10x0,5 mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Siliziumkarbid Wafersubstrat
(Klicken Sie auf das Bild für mehr)
54H-P 6H-P Typ
Silikonkarbid Wafer 6H P-Typ und 4H P-Typ Null MPD Produktion Dummy Grade Dia 4 Zoll 6 Zoll
(Klicken Sie auf das Bild für mehr)
SiC-Wafer-Fragen:
1 F: Wie verglichen sich die Leistungsfähigkeit von 4H-N SiC mit der von GaN (Galliumnitrid) in ähnlichen Anwendungen?
A: Sowohl 4H-N SiC als auch GaN werden in Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen verwendet, aber SiC bietet typischerweise eine höhere Wärmeleitfähigkeit und Abbruchspannung,während GaN eine höhere Elektronenmobilität bietetDie Wahl hängt von den spezifischen Anforderungen der Anwendung ab.
Außerdem liefern wir auch GaN-Wafer.
2F: Gibt es Alternativen zu 4H-N SiC für ähnliche Anwendungen?
A: Zu den Alternativen gehören GaN (Galliumnitrid) für Hochfrequenz- und Leistungsanwendungen sowie andere Polytypen von SiC wie 6H-SiC.Jedes Material hat seine eigenen Vorteile, je nach spezifischen Anwendungsbedarf.
3 F: Welche Rolle spielt Stickstoffdopping in 4H-N SiC-Wafern?
A: Durch Stickstoffdoping werden freie Elektronen eingeführt, wodurch die Wafer N-Typ wird, wodurch die elektrische Leitfähigkeit und Leistung der aus der Wafer hergestellten Halbleiter verbessert werden.
Ihre Nachricht muss zwischen 20 und 3.000 Zeichen enthalten!
