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Hochreine SiC-beschichtete Trägerplatte für Waferbehandlung und -übertragung

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4-Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Durchmesser 100 mm Dicke 350 µm Prime Grade

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Lithium-Niobat-Dünnfilm-LNOI-Wafer mit optischem Verlust < 0,05 DB/cm

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​​Kundenspezifische Quarzglockengläser mit Beschichtungsoptionen für Halbleiter-Plasmageneratoren​​

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XRD-basiertes Wafer-Orientierungsinstrument zur präzisen Bestimmung des Schnittwinkels

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