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4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 4H-SiCOI-Wafer Komposit SiC auf Isolatorsubstraten

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Aluminiumkeramische Einzelbauteile Hohe Härte für Halbleiterherstellungsgeräte

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12 Zoll Saphir Wafer Saphir Substrat Al2O3 Wafer 9.0Mohs durchsichtige SSP DSP C-Achse

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Maschine zum Schneiden von Diamantdraht mit drei Stationen und einem einzigen Draht zur Verarbeitung von SiC / Saphir / Silizium

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​​High-Purity SiC Vertical Furnace Tube High-Temperature Resistant

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