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HPSI High Purity Semi-insulating SiC Wafers 2"3"4"6" 8" Prime/Dummy/Research Grade

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Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten

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8-Zoll SiC Epitaxie-Wafer Durchmesser 200mm Dicke 500µm 4H-N Typ

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CZ-Methode Czochralski-Ofen produziert hochwertige Saphirkristalle

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GaN On Diamond And Dimond auf GaN Wafer By Epitaxial HEMT und Abbinden

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2 Zoll Durchmesser 50,8 mm 4H-N Typ SiC Epitaxie-Wafer für Hochtemperatursensoren

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SiC-Samenwafer 4H N Typ Dia 153 155 2 Zoll-12 Zoll für die Herstellung von MOSFETs

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6 Zoll SiC Epitaxial Wafer Durchmesser 150mm 4H-N Typ 4H-P Typ Für 5G Kommunikation

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Ausrüstung zum Schneiden von Keramiken Ein- oder Mehrdraht-Diamantdrahtschneiden

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2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll SiC Epitaxie-Wafer 4H-N Produktionsqualität

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