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[sic wafer ]

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Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

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330um der Stärke-4 H-N Types Substrat-Produktions-Grad Dia50.8mm 2inch sic

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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besonders angefertigte 5x40mm formen sic Kristallscheiben 4 H-N Sic Substrates-Chips

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Siliziumkarbid Wafer SiC 4H-N Dummy Grade Rrime Grade Hochhärte Halbleitermaterialien

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10 Millimeter X 10 6H Halb-isolierender Millimeter Art-sic Substrat-Forschungs-Grad sic Crystal Substrate

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3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation

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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4H-SiC Substrate 3C-N Typ MOS-Grad

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Farblose Transparente Siliziumkarbid SiC Polierte Waferlinse Optische AR-Brille

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Undoped transparente Silikonkarbid sic optische Kristalllinse mit Härte 9,2

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4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch

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Waferherstellungs-Grad 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate für Hochfrequenz-Geräte

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2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

besonders angefertigte 5x40mm formen sic Kristallscheiben 4 H-N Sic Substrates-Chips

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10 Millimeter X 10 6H Halb-isolierender Millimeter Art-sic Substrat-Forschungs-Grad sic Crystal Substrate

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​​3C-SiC-Substrat, N-Typ, Produktqualität für 5G-Kommunikation​​

2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4H-SiC Substrate 3C-N Typ MOS-Grad

Farblose Transparente Siliziumkarbid SiC Polierte Waferlinse Optische AR-Brille

Undoped transparente Silikonkarbid sic optische Kristalllinse mit Härte 9,2

4 H-N Type Semi-Insulatings Silikon-Karbid-Oblaten sic Substrat-2inch 3inch 4inch

2 Zoll/4 Zoll/6 Zoll/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Siliziumkarbid Substrat Typ 3C-N Auf der Achse: < 111 > ± 0,5° Produktionsgrad Dummy-Grad

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