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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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Rachsenmflächeneinachse Sapphire Wafer-Substrat 2Inch 3inch 4inch
  • Rachsenmflächeneinachse Sapphire Wafer-Substrat 2Inch 3inch 4inch
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Rachsenmflächeneinachse Sapphire Wafer-Substrat 2Inch 3inch 4inch

Herkunftsort China
Markenname zmsh
Modellnummer 2inch R
Produkt-Details
Material:
99,999% Al2O3
Industrie:
geführtes, optisches Glas, eli-bereite Oblate
Anwendung:
semicondutor Oblate, geführter Chip, optisches Glasfenster, elektronische Keramik
Farbe:
Weiß oder Rot oder Blau
helle Transmissivität der Vision:
85%
advantagement:
hohes hardness9.0, Verschleißfestigkeit,
Art:
einzelner Kristall
Orientierung:
R-Fläche
Markieren: 

Saphirsubstrat

,

kundenspezifisches Saphirglas

Produkt-Beschreibung

Saphiroblate der R-Achse 2inch für epi-bereiten Test, optische Fenster des Saphirs, epi-bereites Substrat des Saphirs der R-Achse 2inch
Rachsenmflächeneinachse Sapphire Wafer-Substrat 2Inch 3inch 4inch
1. Beschreibung
Saphir ist eins der härtesten Materialien und besitzt sehr gutes Getriebe während der Strecke sichtbaren und nahen IR-Spektrums. Er ist als optisches Fenster in den Infrarot- und weit Infrarotmilitärausrüstungen, Apparat und Instrumente des Satelliten und der Raumfahrttechnik und Navigation und Raumflug, wie Nachtinfrarotbereich/Anblick- und Nachtsichtkamera, usw. weitverbreitet. Das Saphirkristallfenster wird intensiv auf den High-Techen Gebieten angewendet.

Optische Fenster des Saphirs sind für Anwendungen ideal, in denen Hochdruck, Vakuum oder ätzende Atmosphären eine Erwägung sind. Saphir, eine einzelne Kristallform von Al2O3, ist beständig, durch die starken Säuren anzugreifen wegen seiner hohen Dielektrizitätskonstante. Er hat hohe Druckfestigkeit und einen hochschmelzenden Punkt. Er ist auch gegen die UV-Strahlungs-Verdunkelung beständig.

Saphiranwendung: optische Linse des Saphirs, Saphirball, Saphirlager, Saphir führte Oblate, SaphirUhrglaslinse.
Spezifikation:
Einzelner Kristall Al2O3 99,999%
Orientierung: R-Achse 0.5°

Durchmesser: 50.8±0.1mm

Stärke: 430±15um oder 330±15um

Primärebene: 16±1mm

Von der Orientierungsebene: Weg von r- bis c-Achse 45°±0.1° C-Fläche (0001)

Frontside-Oberflächenrauigkeit: Ra<0.2nm

Rückseiten-Oberflächenrauigkeit: 0.8~1.2um (oder doppelte Seite poliert, Seite Ra<0.2nm)

TTV: <10um-BOGEN: - VERZERRUNG 10~0um: <10um

Laser Mark Series No. durch Bedarf

Paket: Vakuumversiegelte Behälter mit Stickstoff füllen in einer Umwelt der Klasse 100 nach

Sauberkeit: Freie sichtbare Verschmutzung

 

2. Qc-Standard

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Rachsenmflächeneinachse Sapphire Wafer-Substrat 2Inch 3inch 4inch 3

3. FAQ:

1. Können Sie Soem annehmen?
Ja!. Wir können gemäß Ihrer Antragspezifikation herstellen.
2. Können Sie die Waren über unser Versandmittel liefern?
Ja könnten wir Ihnen helfen, die Lieferung unter Verwendung Ihres Versandmittels zu machen
3. Was über Ihren Kundendienst?
Yes.We-Versprechen, dass wir Produkte ändern oder zurückerstatten können, wenn es irgendein Qualitätsproblem gibt.

 

Wenn Sie professionellerehilfe benötigen, treten Sie mit uns bitte in Verbindung. Unsere technischen Ingenieure

möchte Rat entsprechend Ihren Anforderungen geben

 

 

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wir stellen auch anderen Materialhalbleiterwafer als Gleiche sic, GaN, GaAs, InP zur Verfügung.

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