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InAs Wafer Doped Zn 2 Zoll Indium-Arsenid Wafer Dia 50mm Dicke 500um <100> angepasst

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Indium-Arsenmetall-Wafer InAs der Stärke-500um Zoll Durchmesser 50.8mm Kristallscheiben-2

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4 Zoll-Galliumarsenid-Wafer, Gaas-Substrat für niedrige Temperatur-Legierungen

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N - Schreiben Sie Galliumarsenid-Wafer GaAs einzelner Kristall-Substrate 2 - 6 Zoll

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Durchmesser 50.8mm 2 Zoll-Galliumarsenid-Wafer für Halbleiter-Substrat

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Laalo3 Substrat, Galliumarsenid-Oblaten-Lanthan-Aluminats-Kristall-Substrat

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InAs Indium Arsenid2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Einzelkristall Substrat N/P Typ Halbleiter Wafer Dicke 300-800um

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Halb- isolierende Art VGF-Methode Gaas-Oblaten-Durchmessers 150mm für Mikroelektronik

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3inch 76.2mm N-artiges S lackierte Galliumarsenid-Oblate für Mikroelektronik

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InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphid Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer für intelligente Sensorik

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Doppelte Seite polierte Kristallsubstrat-Chips Semicondutor-Oblaten-1sp 2sp 10X10mm GGG

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