2inch InAs-Substrate Stärke 500um des Durchmessers 50.8mm, Kristallscheibe Indiumarsenmetall InAs, N-artige Oblate 3inch 0.6mm InAs, 10x10mm quadratische InAs Oblaten
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Substrat einzelnen Kristalles InAs kann gewachsenes InAsSb/in- Heterostrukturmaterialien AsPSb InNAsSb, wie Herstellung 2 sein | 14 Mikrometer lichtemittierende Geräte der Infrarotwellenlänge, mit Substrat einzelnen Kristalles InAs können gewachsene Epitaxial- AlGaSb-Superlatticematerialien, Produktion auch sein für Infrarotquantenkaskadenlaser.
ZMKJ-Dose stellt InAs-Wafer (Indium-Arsenmetall) zur Optoelektronikindustrie im Durchmesser bis 3 Zoll zur Verfügung.
InAs-Kristall ist ein Mittel, das herein durch gebildet wird 6N, das rein ist und als Element und wird durch Flüssigkeit eingekapselte Methode Czochralski (LEC) mit EPD gewachsen < 15000="" cm="" -3="">
Allgemeine Eigenschaften
ALLGEMEINE SPEZIFIKATIONEN | |||||||
Kristall | Schmiere | Art |
Ladungsträgerdichte
cm-3
|
Mobilitätsrate (cm2/V.s)
|
Versetzungsdichte
(cm-2)
|
Größe | |
InAs
|
N
|
5*1016
|
2*104
|
<5>4
|
Φ2 ″ ×0.5mm
Φ3 ″ ×0.6mm
|
||
InAs
|
Sn
|
N
|
(5-20) *1017
|
>2000
|
<5>4
|
Φ2 ″ ×0.5mm
Φ3 ″ ×0.6mm
|
|
InAs
|
Zn
|
P
|
(1-20) *1017
|
100-300
|
<5>4
|
Φ2 ″ ×0.5mm
Φ3 ″ ×0.6mm
|
|
InAs
|
S
|
N
|
(1-10) *1017
|
>2000
|
<5>4
|
Φ2 ″ ×0.5mm
Φ3 ″ ×0.6mm
|
|
Größe (Millimeter)
|
Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mmalso kann besonders angefertigt werden
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Ra | Oberflächenrauigkeit (Ra):<> | ||||||
Polier | 1sp oder 2sp | ||||||
Paket |
Grad 100, der in1000grade-Reinigungsraum verpackt
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Wachstum | LEC |
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Durchmesser | Ø 2"/Ø 3" |
Stärke | 500 um | 625 um |
Orientierung | <100> / <111> / <110> oder andere |
Weg von der Orientierung | Weg von 2° zu 10° |
Oberfläche | Eine Seite poliert oder zwei Seiten poliert |
Flache Wahlen | EJ oder HALB. Std. |
TTV | <> |
EPD | <> |
Grad | Epi polierte Grad/mechanischen Grad |
Paket | Einzelner Oblatenbehälter |
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