8 Zoll Saphirwafer:Synthetische Einkristall Al2O3 anpassbar A/R/M-Fläche 4N5-5N Hohe Reinheit

Produktübersicht

Die 8-Zoll- (200 mm) Saphirwafer ist ein großformatiges Halbleiter-Substrat aus hochreinem synthetischem Einkristall-Aluminium (α-Al2O3).Es dient als Kern-Grundlagensubstrat für LED-Epitaxie, GaN-Leistungsgeräte und HF-optoelektronische Geräte in der Halbleiterindustrie der dritten Generation.mit einer Breite von mehr als 20 mm,, Lappen und chemisch-mechanisches Polieren.Die Kombination des Vorteils des großen Durchmessers bei der Massenproduktion mit den Eigenschaften des Saphirs – hochtemperaturbeständig,Elektrische Isolierung und chemische Korrosionsbeständigkeit , wodurch die Chipleistung effektiv gesteigert und die Herstellungskosten reduziert werden, wodurch es zu einem kritischen Grundmaterial in den Bereichen High-End-Optoelektronik und Halbleiter wird.

Kerntechnische Merkmale

Kompatibilität mit der Großserienproduktion

Mit einem großen Durchmesser von 200 mm (8 Zoll) ist die effektive Epitaxialfläche pro Wafer 4-mal größer als bei 4-Zoll-Wafern.Es ist kompatibel mit großflächigen MOCVD-Geräten wie 12-Wafer-Reaktoren, was die Chipleistung pro Charge erheblich erhöht und die Substratkosten pro Chip senkt.

System für hochreines Einzelkristallmaterial

Hergestellt aus hochreinem Aluminium-Rohstoff von 4N5 bis 5N-Qualität (99,995% bis 99,999%)Es weist eine hexagonale α-Phasen-Einkristallstruktur mit geringer Dislokationsdichte und ausgezeichneter kristalliner Integrität auf, frei von Verunreinigungsabtrennungen und Gitterfehlern, wodurch die Einheitlichkeit des Wachstums des epitaxialen Films und der Leistung des Geräts gewährleistet wird.

Ausgezeichnete thermische Stabilität
Mit einem Schmelzpunkt von 2050°C bleibt die Kristallstruktur stabil unter der hochtemperaturen MOCVD-Epitaxiebedingung von 1000~1200°C.Es hat einen niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten und eine minimale Verformung der Verformung während hohtemperaturartiger Verfahren, und kann mehrfachen Hochtemperatur-Zyklusprozessen standhalten, um die Konsistenz des Wachstums der epitaxialen Schicht zu gewährleisten.

Ausgezeichnete elektrische Isolierung und dielektrische Eigenschaften
Der intrinsische hochreine Saphir weist eine ausgezeichnete elektrische Isolierung mit einem Raumtemperaturwiderstand von mehr als 1014 Ω·cm und geringen dielektrischen Verlusten auf.Es erreicht eine effektive elektrische Isolierung zwischen Geräten, unterdrückt Leckagen und Signalstörungen unter Hochspannungsbedingungen und erfüllt die Leistungsanforderungen von Hochspannungs-GaN-Leistungsgeräten und HF-Geräten.

Ultrapräzise Oberflächenbearbeitung auf epitaxialer Ebene
Die Epitaksialoberfläche wird chemisch-mechanisch poliert (CMP) mit einer Oberflächenrauheit von Ra ≤ 0,2 nm,Erreichung einer Flachheit auf AtomebeneDie Gesamtdickheitsvariation (TTV), der Bogen und die Verformung werden streng kontrolliert und erfüllen vollständig die Oberflächenanforderungen für das epitaxielle Wachstum von MOCVD GaN.

Starke chemische und Plasmabeständigkeit
Saphir weist eine extrem starke chemische Trägheit auf und ist bei Raumtemperatur in den meisten Säure- und Alkalilösungen unlöslich.Es kann schwierigen Prozessumgebungen wie Plasma-Ätzen und Nassreinigung in der Halbleiterherstellung standhalten, mit minimalen Korrosionsschäden und Partikelkontamination an der Oberfläche, um die Prozessreinheit und die Zuverlässigkeit des Geräts zu gewährleisten.

Polymorphismus und kundenspezifische Parameterunterstützung

C-Ebene (0001) Orientierung wird als Standard geliefert, während spezielle Orientierungen einschließlich A-Ebene, R-Ebene und M-Ebene sind auch verfügbar, mit anpassbaren Off-Winkel-Spezifikationen.Parameter wie Dicke, Kantenkammer und flache / Kerbe können nach Kundenanforderungen angepasst werden, die sich an verschiedene Geräteprozesse und Ausrüstungsspezifikationen anpassen.

Hohe mechanische Festigkeit und Kompatibilität mit der Nachbearbeitung

Mit einer Mohs-Härte von 9, nur hinter dem Diamanten, hat es eine hervorragende mechanische Steifigkeit und Biegebeständigkeit.PSS-Gestaltung und Metallisierung ohne Splitter oder Riss an den Kanten, die sich an unterschiedliche Prozesslösungen anpassen.

Standardspezifikationen

Typische Anwendungen

1. Optoelektronik: Blau/grün/UV-LED-Epitaxialwachstum, Herstellung von Mini/Micro-LED-Display-Chips, hocheffiziente Produktionslinien für Lichtchips
2. Leistungshalbleiterfeld: Epitaxial-Substrat für GaN-basierte Hochspannungs-Stromgeräte, Schnellladechips, elektrische Geräte für Kraftfahrzeuge
3. HF- und Mikroelektronikfeld: Silicon-on-Sapphire (SOS) HF-Integrierte Schaltungen, Hochfrequenz-Mikrowellen-Geräte-Substrate
4. Optisches und Sensorfeld: Hochpräzisionsoptische Fenster, Infrarotdetektionsgeräte, MEMS-Sensorsubstrate
5. Spezielles Halbleiterfeld: Hochtemperaturelektronische Geräte, strahlungsbeständige elektronische Bauteile für die Luftfahrt

Qualitätskontrolle

Das Qualitätssicherungssystem für Halbleiter wird während des gesamten Prozesses implementiert.und ein vollständiges Analysezertifikat (COA) vorgelegt werden kannZu den Kontrollpunkten gehören die Prüfung der Dimensionsgenauigkeit, die Prüfung der Abweichung der Kristallorientierung, die Prüfung der Oberflächenflächigkeit und -rauheit, das Screening visueller Defekte (Kratzer, Gruben,Kantensplitterung), Reinigungstests und Verpackungsdichtung, um die Konsistenz der Produktparameter und die Zuverlässigkeit des Prozesses zu gewährleisten.

Häufig gestellte Fragen

Was ist der Hauptunterschied zwischen 8-Zoll-Saphir-Wafeln und kleineren 4/6-Zoll-Wafeln?           

Die 8-Zoll-Wafer liefert eine viel größere nutzbare Epitaxialfläche ≈ etwa das Vierfache einer 4-Zoll-Wafer und das 1,8fache einer 6-Zoll-Wafer.erhöht die Chipproduktion pro Charge und senkt die Chipkosten pro EinheitEs eignet sich besser für Massenproduktionslinien von Mini/Micro-LED und Hochspannungs-GaN-Stromgeräten, während 4/6-Zoll-Wafer häufiger für Forschung und Entwicklung und kleine bis mittlere Volumenproduktion verwendet werden.

Kann man die Dicke von 8-Zoll-Saphir-Wafern anpassen?
Ja. Standarddickenoptionen umfassen 650μm, 800μm und 1000μm, und kundenspezifische Dicken können hergestellt werden, um den Anforderungen des Kundenprozesses zu entsprechen.Die Bohn- und Warpparameter werden streng für alle Dickenoptionen kontrolliert, um Flachheit und Prozesskompatibilität zu gewährleisten.

Gibt es andere Kristallorientierungen als die C-Ebene (0001) und kann der Winkel abgestimmt werden?
Neben der Standard-C-Ebene für GaN-LED-Epitaxie sind A-Ebene, R-Ebene und M-Ebene-Orientierungen für SOS-HF-Geräte, nichtpolare GaN-Geräte und spezielle optische Anwendungen verfügbar.Der präzise Abwinkel kann auch nach Zeichnungen des Kunden oder dem Bedarf des epitaxialen Prozesses angepasst werden, um die Qualität des epitaxialen Films zu optimieren.

Können die Wafer zusätzlich verarbeitet werden, z. B. mit PSS-Mustern oder Metallisierung?
Ja, Mehrwertdienste wie PSS/NPSS-Patterning, vollständige oder lokalisierte Rückseitenmetallisierung, Präzisions-Kanten-Chamfering und Ultra-Dünn-Wafer-Verdünnung sind erhältlich.Die Machbarkeit hängt von den Abmessungen des Musters ab, Beschichtungsmaterialien, Waferdicke und erforderliche mechanische Festigkeit.

Unterstützen Sie kleine Prototypenbestellungen für 8-Zoll-Saphir-Wafer?
Ja, Prototypenmengen, Tests im Labor und Ersatzbestellungen sind akzeptabel.Verarbeitungsschwierigkeit und erforderliche Qualitätsstufe.

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