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Gallium-Nitrid-Oblate

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Gallium-Nitrid-Oblate

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China Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-SICs EPI 4inch 6inch Oblaten Fabrik

Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-SICs EPI 4inch 6inch Oblaten

Schichtoblaten GaN-AUF-Si EPI 4inch 6inch GaN-AUF-SIC EPI Schichtoblaten Ungefähr GaN-auf-GaN GaN-auf-SIC-Eigenschaft führen Sie ein Epitaxial- Oblate GaN: Entsprechend den verschiedenen Substraten wird sie ... Lesen Sie weiter
2022-10-28 09:52:04
China Freier stehender Gallium-Nitrid-Oblaten-Halbleiter GaN Substrates Fabrik

Freier stehender Gallium-Nitrid-Oblaten-Halbleiter GaN Substrates

Gallium-Nitrid GaN-Oblate Methode 2inch HVPE, freie Stellung GaN-Substrate für LED-applicaion, 10x10mm Größe GaN-Chips, Oblate HVPE GaN 2inch GaN-AUF-GaN PIN-Oblaten auf freistehenden GaN-Substraten Ungefähr ... Lesen Sie weiter
2022-08-02 11:43:29
China 2 Zoll DSP einzelner Crystal Gallium Nitride Wafer Free, der GaN Substrates steht Fabrik

2 Zoll DSP einzelner Crystal Gallium Nitride Wafer Free, der GaN Substrates steht

B2inch GaN-AUF-GaN blauen grünen Mikro-GEFÜHRTEN epi Oblaten auf freistehenden GaN-Substraten 2inch DSP SSP GaN-AUF-GaN blauen HEMT-Oblaten auf freistehenden GaN-Substraten Ungefähr GaN-auf-GaN Eigenschaft f... Lesen Sie weiter
2022-04-14 16:25:11
China GaN-Oblate Gallium-Nitrid-Oblate Leistungsfähigkeit der hohen Leistung für Energiesparende Beleuchtung Fabrik

GaN-Oblate Gallium-Nitrid-Oblate Leistungsfähigkeit der hohen Leistung für Energiesparende Beleuchtung

Gallium-Nitrid GaN-Oblate Methode 2inch HVPE, freie stehende GaN-Substrate für LED-applicaion, 10x10mm Größe GaN-Chips, Oblate HVPE GaN Über GaN-Eigenschaft führen Sie ein Die steigende Nachfrage nach den ... Lesen Sie weiter
2022-04-09 13:26:09
China Substrat HVPE GaN oder Oblate GaN Templates EPI für Rf-Anwendungen Fabrik

Substrat HVPE GaN oder Oblate GaN Templates EPI für Rf-Anwendungen

Gallium-Nitrid GaN-Oblate Methode 2inch HVPE, freie Stellung GaN-Substrate für LED-applicaion, 10x10mm Größe GaN-Chips, Oblate HVPE GaN Über GaN Feature führen Sie ein Die steigende Nachfrage nach den ... Lesen Sie weiter
2022-04-09 13:24:08
China GaN-auf-Saphir 6Inch orSapphire Substrate basierten blauen geführten Epi-Oblate HEMT Fabrik

GaN-auf-Saphir 6Inch orSapphire Substrate basierten blauen geführten Epi-Oblate HEMT

Blau GaN-AUF-Saphir 2inch 4inch 6inch führte Epioblate PSS für HEMT Als führender Hersteller und Lieferant von epi GaN (Gallium-Nitrid) Wafers, bieten wir 2-6inch GaN auf Saphir epi Wafers für Mikrowellenelektr... Lesen Sie weiter
2022-04-09 13:23:16
China Undoped 10X10mm M-Achse HVPE GAN Wafers For Halbleiter Fabrik

Undoped 10X10mm M-Achse HVPE GAN Wafers For Halbleiter

freistehende GaN Substrate 2inch, GaN-Oblate für LD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für geführt, GaN-Schablone, 10x10mm GaN Substrate, gebürtige GaN-Oblate, GaN Applications GaN kann verwendet werden, um ... Lesen Sie weiter
2021-07-28 16:27:01
China Kristallisierte Gallium-Nitrid-Oblate HVPE GaN für Laser-Gerät Fabrik

Kristallisierte Gallium-Nitrid-Oblate HVPE GaN für Laser-Gerät

freistehende GaN Substrate 2inch, GaN-Oblate für LD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für geführt, GaN-Schablone, 10x10mm GaN Substrate, gebürtige GaN-Oblate, III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus) Die verbotene ... Lesen Sie weiter
2021-07-20 15:14:38
China Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um Fabrik

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

freistehende GaN Substrate 2inch, GaN-Oblate für LD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für geführt, GaN-Schablone, 10x10mm GaN Substrate, gebürtige GaN-Oblate, III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus) Verbotene Abdeckung ... Lesen Sie weiter
2020-12-19 20:55:01
China 2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt Fabrik

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN, GaN-Spezifikationen/spezielle Eigenschaften: Galliumnitrid (GaN) ist ein sehr hartes ... Lesen Sie weiter
2020-12-19 20:52:21
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