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Kristallisierte Gallium-Nitrid-Oblate HVPE GaN für Laser-Gerät

Name: Kristallisierte Gallium-Nitrid-Oblate HVPE GaN für Laser-Gerät
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: GaN-2INCH
Price: 150.00 USD
Availability: InStock

Produkt-Details

Herkunftsort: CHINA

Markenname: zmkj

Modellnummer: GaN-2INCH

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Min Bestellmenge: 1PC

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Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten im Reinigungsraum mit 100 Graden

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Produkt-Beschreibung

Hervorheben: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                HVPE-Gallium-Nitrid-Oblate, GaN-Gallium-Nitridoblate, Gan Oblate HVPE
                              

Material:	Einzelner Kristall GaN	Methode:	HVPE
Größe:	2inch	Stärke:	330um
Industrie:	LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor,	Farbe:	Weiß
Paket:	einzelnes Oblatenkassetten-Kastenpaket durch Vakuumzustand

Material:	Einzelner Kristall GaN
Methode:	HVPE
Größe:	2inch
Stärke:	330um
Industrie:	LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor,
Farbe:	Weiß
Paket:	einzelnes Oblatenkassetten-Kastenpaket durch Vakuumzustand

Kristallisierte Gallium-Nitrid-Oblate HVPE GaN für Laser-Gerät

freistehende GaN Substrate 2inch, GaN-Oblate für LD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für geführt, GaN-Schablone, 10x10mm GaN Substrate, gebürtige GaN-Oblate,

III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus)

Die verbotene Bandbreite (lichtemittierend und Absorption) umfasst das ultraviolette, sichtbare Licht und das Infrarot.

Kristallisierte Gallium-Nitrid-Oblate HVPE GaN für Laser-Gerät 0

GaN kann in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung und Darstellung verwendet werden,

Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.

Kristallisierte Gallium-Nitrid-Oblate HVPE GaN für Laser-Gerät 2

Spezifikationen:

Einzelteil	GaN-Rumpfstation-n
Maße	± 1mm Ф 50.8mm
Marco Defect Density	Ein Niveau	≤ 2 cm2
	B-Niveau	> 2 cm2
Stärke	300 ± 25 µm
Orientierung	C-Achse (0001) ± 0.5°
Orientierungs-Ebene	(1-100) ± 0.5°, ± 16,0 1.0mm
Sekundärorientierungs-Ebene	(11-20) ± 3°, 8,0 ± 1.0mm
TTV (Gesamtstärke-Veränderung)	µm ≤15
BOGEN	µm ≤20
Leitungs-Art	N-artig
Widerstandskraft (300K)	< 0="">
Versetzungsdichte	Kleiner als cm2 5x106
Verwendbare Fläche	> 90%
Polnisch	Front Surface: Ra < 0=""> Hintere Oberfläche: Feiner Boden
Paket	Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

2. Unsere Unternehmens-Vision

wir stellen GaN-Substrat der hohen Qualität und Anwendungstechnologie für die Industrie zur Verfügung.

Hohe Qualität GaNmaterial ist der zurückhaltene Faktor für die III-Nitridanwendung, z.B. langes Leben und hohe Stabilität LDs, hohe Leistung und hohe Zuverlässigkeitsmikrowellengeräte, hohe Helligkeit und hohe Leistungsfähigkeit, energiesparende LED.

Kristallisierte Gallium-Nitrid-Oblate HVPE GaN für Laser-Gerät 3

- FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.
Wenn nicht, könnten wir Sie unterstützen, um zu liefern. Freight=USD25.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg

Q: Was ist die Lieferfrist?
(1) für die Standardprodukte wie Oblate 2inch 0.33mm.
Für Inventar: die Lieferung ist 5 Arbeitstage nach Auftrag.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder 3 Arbeitswochen nach Auftrag.

Q: Wie man zahlt?
100%T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram, sichere Zahlung und Geschäftsversicherung.

Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 1pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 5pcs-10pcs.
Es hängt von der Quantität und von den Techniken ab.

Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können ROHS-Bericht liefern und Berichte für unsere Produkte erreichen.

Tags:

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Sic Substrat

Saphir optisches Windows

Indium-Phosphid-Oblate

Saphir-Teile

Saphirabdeckungsglas

Synthetischer Edelstein

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Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Synthetischer Saphir Rod

IC-Siliziumscheibe

Fixierter Quarz-Platte

keramisches Substrat

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