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N-Art freie Stellung HVPE GaN Gallium Nitride Wafer 4inch Dia100mm

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Gallium-Nitrid-Oblate

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10x15mm Gao-Substrat Magnesiumlackieren Oxid Galliums 001 10x10mm Galliumoxidsubstrat-Monoklinestruktur-----------------------------------------------------------------------------------------------------------... Lesen Sie weiter

2023-07-19 17:42:35

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2023-07-19 17:40:37

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2023-07-19 17:37:37

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2023-07-13 14:46:03

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2023-02-15 17:10:41

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Sd customzied Oblaten GaN& Diamond Heat Sink Methode der Größe MPCVD für thermischen Managementbereich Diamant hat große Bandlücke, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Zusammenbruchfeldstärke, hohe Ladungstr... Lesen Sie weiter

2023-01-03 11:54:15

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2023-01-03 11:49:13

GaN On Diamond And Dimond auf GaN Wafer By Epitaxial HEMT und Abbinden
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customzied Oblaten GaN& Diamond Heat Sink Methode der Größe MPCVD für thermischen Managementbereich GaN ist auf den Hochfrequenz-, schnell aufladen und anderemgebieten weitverbreitet, aber seine Leistung und ... Lesen Sie weiter

2023-01-03 11:44:58

AlN auf Epitaxial- Filmen Diamond Template Waferss AlN auf Diamond Substrate
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AlN auf Epitaxial- Filmen Diamantschablonenoblaten AlN auf Diamantsubstrat AlN auf Saphir /AlN-on-SiC/ AlN-AUF Silikon Aluminium-Nitrid (AlN) ist eins der wenigen nicht-metallischen Materialien mit hoher W... Lesen Sie weiter

2023-01-03 11:41:01

Freie stehende HVPE-Gallium-Nitrid-Oblate GaN Substrates 4inch
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Gallium-Nitrid GaN-Oblate Methode 4inch HVPE, freie Stellung GaN-Substrate für LED-applicaion, 10x10mm Größe GaN-Chips, Oblate HVPE GaN Ungefähr GaN-auf-GaN Eigenschaft führen Sie ein Vertikale GaN-Starkstromge... Lesen Sie weiter

2022-10-28 09:53:24

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