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N-artige/UNO-lackierte Art GaAs-Oblaten GaSb 2inch InAs Wafers

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Durchmesser 200mm synthetische Sapphire Wafer BF33 für GaAs-Halbleiter-Trägerplatte

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Kundenspezifischer einzelner Crystal Sapphire Optical Lens Optical Glass Windows

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6 Zoll Sapphire Wafer BF33 für GaAs-Halbleiter-Trägerplatte

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Kundengebundener einzelner Crystal Sapphire Optical Lens/optisches Glas-Windows für Scanner

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Diamantdraht / Mehrdraht / Hochgeschwindigkeits- / Hochpräzisions- / Absteigende / Schwingende Schneidmaschine

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Mikro-Jet-Laser-Ausrüstung für das Abrunden von Silikonkarbid-Wafer und das Aufteilen von Wafer auf Silikonbasis

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Silikonkarbid-Seed-Wafer des Typs 4H Dia 157±0,5 mm Dicke 500±50um Monokristallfläche > 153 mm

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4 Zoll Si-Wafer Dia 100mm Dicke 350um Ausrichtung <100> DSP SSP kundenspezifische Silizium-Wafer N-Typ P-Typ

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Ausrüstung zum Schneiden von Keramiken Ein- oder Mehrdraht-Diamantdrahtschneiden

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Zusammengestellte 4-Zoll- (100 mm) Siliziumwafer: 350 μm Dicke, <100> Orientierung, DSP/SSP, N-Typ/P-Typ Doping

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