3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Forschung Dummy Grade SIC Epitaxial Substrate
SiC-Substrat von hoher Qualität aus China.
Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführte Methode wird in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 eingeführt.
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO., LTD Qualitätshersteller aus China.
Wir liefern:
Galliumnitridwafer: https://www.galliumnitridewafer.com/supplier-gallium_nitride_wafer-248923.html
Sapphire Wafer: https://www.galliumnitridewafer.com/supplier-sapphire_wafer-247991.html
SiC-Substrat: https://www.galliumnitridewafer.com/supplier-sic_substrate-248805.html
Sie können unsere offizielle Website besuchen: http://www.galliumnitridewafer.com
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SiC-Substrat
Sic-Wafer
SiC-Substrat
Siliziumkarbid-Substrat
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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Forschung Dummy Grade SIC Epitaxial Substrate
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