April 15, 2025
Diese Ausrüstung ermöglicht das präzise Ausdünnen von 4"-12" zerbrechlichen Halbleitermaterialien einschließlich Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs) und Saphirsubstraten,mit einer Dickenregelungsgenauigkeit von ±1 μm und einer Gesamtdickenvariation (TTV) von ≤2 μm, um die strengen Anforderungen der Fertigung fortgeschrittener Verpackungen und Leistungseinrichtungen zu erfüllen.