Sapphire Wafer C-Plane bis M 1°off 99,999% Al2O3 Dia 2"3"4"6"8" Orientierung anpassen

Saphir Wafer C-Plane bis M 1°Off, 99,999% Al2O₃, Durchmesser 2 "/3"/4"/6"/8", individuelle Ausrichtung

Diese ultra-hohe Reinheit Saphirwafer verfügt über eine C-Ebene zu M-Achse 1 ° Off-Schnitt-Orientierung mit 99,999% (5N) Al2O3 Reinheit,für fortgeschrittenes Epitaxialwachstum und spezielle Halbleiteranwendungen entwickeltErhältlich in Standarddurchmesser (2" bis 8") mit anpassbaren Ausrichtungen und Dicken, bietet eine außergewöhnliche kristallographische Präzision, eine extrem geringe Defektdichte,und überlegene thermische/chemische Stabilität. Die 1° Abgrenzung zur M-Achse optimiert die epitaxiale Filmqualität für GaN-, AlN- und ZnO-basierte Geräte und macht sie ideal für Hochleistungs-LEDs, Laserdioden, Leistungselektronik,und SAW/BAW-Filter.

Wesentliche Merkmale der Saphirwafer

Präzisionsorientierung außerhalb des Schnitts:

C-Fläche bis M-Achse 1° ± 0,1° abgeschnitten, was Schritt-Bunching-Fehler reduziert und die Ebenheit der epitaxialen Schicht verbessert.

Für spezielle Anwendungen verfügbare maßgeschneiderte Abschnitte (0,2° ∼5°).

Ultra-hohe Reinheit (5N Al2O3):

990,999% Reinheit mit Spurenverunreinigungen (Fe, Ti, Si) < 5 ppm, was minimale elektrische/optische Verluste gewährleistet.

Anpassbare Abmessungen und Ausrichtung:

Durchmesser: 2, 3, 4, 6, 8

Stärke: 100 μm bis 1.000 μm (Toleranz von ± 5 μm).

Alternative Ausrichtungen: A-Ebene (1120), R-Ebene (1102) oder gemischte Schnitte auf Anfrage.

Überlegene Oberflächenqualität:

Epi-Ready Polish: Ra < 0,5 nm (Vorderseite) für defektfreie Dünnschichtdeposition.

Doppelseitiges Polieren (DSP): Ra < 0,3 nm für optische Anwendungen.

Aussergewöhnliche Materialeigenschaften:

Thermische Stabilität: Schmelzpunkt ~ 2,050°C, geeignet für MOCVD/MBE-Prozesse.

Optische Transparenz: > 85% Übertragung (UV bis mittlerer IR: 250 ∼ 5000 nm).

Mechanische Robustheit: 9 Mohs-Härte, resistent gegen chemische/abrasive Abnutzung.

AnwendungenSaphirwafer

Optoelektronik:

GaN-basierte LEDs/Laserdioden: Blaue/UV-LEDs, Mikro-LEDs und Rand-Emissionslaser.

Laserfenster: Hochleistungs-CO2- und Exzimerlaserkomponenten.

Energie und HF-Elektronik:

HEMT (High-Electron-Mobility Transistors): 5G/6G Leistungsverstärker und Radarsysteme.

SAW/BAW-Filter: M-Flächenorientierung verbessert die piezoelektrische Leistung.

Industrie und Verteidigung:

IR-Fenster und Raketenkuppeln: Hohe Transparenz in extremen Umgebungen.

Saphir-Sensoren: Korrosionsbeständige Abdeckungen für raue Bedingungen.

Quantum und Forschungstechnologien:

Substrate für supraleitende Qubits (Quantenrechner).

Nichtlineare Optik: SPDC-Kristalle für Quantenverschränkungen.

Halbleiter und MEMS:

SOI (Silicon-on-Isolator) -Wafer für fortschrittliche ICs.

MEMS-Resonatoren: Hochfrequenzstabilität mit M-Ebene-Schnitten.

Spezifikationen

Fragen und Antworten

F1:Warum wählen Sie eine C-Ebene zu M 1 ° Off-cut für GaN-Epitaxie?
A1:Der M-Achsen-Off-Cut verbessert die Mobilität von Atomen während des Wachstums, reduziert Defekte und verbessert die Einheitlichkeit von GaN-Filmen für Hochleistungsgeräte.

Q2: Was ist das?Kann ich andere abgeschnittene Richtungen (z. B. A-Achse) anfordern?
A2:Ja, kundenspezifische Ausrichtungen (A-Ebene, R-Ebene oder gemischte Schnitte) sind mit einer Toleranz von ±0,1° erhältlich.

F3: Was ist der Vorteil von DSP für Laseranwendungen?

A3:DSP sorgt für eine Roughness von <0,3 nm auf beiden Seiten und reduziert die Streuverluste für Hochleistungslaseroptik.