Saphirwafer 12'' Durchmesser 250 mm±0,5 mm Dicke 1000 Um C-Fläche 99,99% Rein

12" Saphirwafer 250mm Durchmesser (± 0,5mm) 1000μm Dicke C-Ebene

Das hier.12 Zoll (250 mm) große SaphirwaferDie Anwendungen für die Entwicklung von Optoelektronik und Halbleitern werden durch die Anwendungen in der elektronischen Elektronik und in der Elektroniktechnik optimiert.Ausrichtung der C-Ebene (0001)gewährleistet eine außergewöhnliche epitaxielle Wachstumsqualität für GaN-basierte Geräte, während sein großer Durchmesser die Produktionseffizienz für die Produktion in großen Mengen maximiert.(Schmelzpunkt bei 000°C)Diese Wafer ist ideal für Leistungselektronik, LEDs, Lasersysteme und hochmoderne Quantentechnologien.

Wesentliche Merkmale der Saphirwafer

Großformatpräzision:

Durchmesser: 250 mm ± 0,5 mm, kompatibel mit 12" Halbleiterherstellungslinien.

Stärke: 1000 μm ± 15 μm, konstruiert für mechanische Festigkeit und Prozessgleichheit.

Ultra-hohe Reinheit (4N):

990,99% reiner Al2O₃, die Verunreinigungen beseitigen, die die optische/elektrische Leistung beeinträchtigen.

Außergewöhnliche Eigenschaften des Materials:

Wärmestabilität: Schmelzpunkt ~ 2,050°C, geeignet für extreme Umgebungen.

Optische Klarheit: > 85% Übertragung von 350 nm bis 4.500 nm (UV bis mittlerer IR).

Härte: 9 Mohs, resistent gegen Kratzer und chemische Korrosion.

Optionen für die Oberflächenqualität:

Epi-bereite Poliermittel: Ra < 0,3 nm (AFM-gemessen), ideal für Dünnschichtdeposition.

Polstern auf zwei Seitenfür präzise optische Anwendungen verfügbar.

Anwendungenmit einer Breite von nicht mehr als 20 mm

Fortgeschrittene Optoelektronik:

LEDs/Laserdioden auf GaN-Basis: Blaue/UV-LEDs, VCSELs für LiDAR und 3D-Sensing.

Mikro-LED-Displays: Einheitliche Substrate für AR/VR-Bildschirme der nächsten Generation.

Leistungs- und HF-Geräte:

5G/6G Leistungsverstärker: Niedriger dielektrischer Verlust bei hohen Frequenzen.

HEMT und MOSFET: Hochspannungstransistoren für Elektrofahrzeuge.

Industrie und Verteidigung:

IR-Fenster/Raketenkuppel: Transparenz in rauen Umgebungen (z. B. Luft- und Raumfahrt).

Saphirsensoren: Korrosionsbeständige Abdeckungen für die industrielle Überwachung.

Neue Technologien:

Wearable Tech: Ultra-dauerhaftes Abdeckglas für Smartwatches.

Spezifikationen

Fragen und Antworten

F1: Warum ist ein 12" Saphirwafer vorteilhaft gegenüber kleineren Durchmessern?
A1:Die250 mm reduzieren die Produktionskosten pro ChipDies ist wichtig für die Produktion in großen Stückzahlen (z. B. LED-Fab-Linien).300 mm Si-Wafer-Werkzeugkompatibilitätfür hybride Halbleiterverfahren.

F2: Wie beeinflusst eine Dicke von 1.000 μm die Leistung des Geräts?
A2:Die1 mm Dicke erhöht die mechanische Stabilitätbei Handhabung und bei Hochtemperaturprozessen (z. B. MOCVD) bei gleichzeitiger Erhaltung einer optimalen Wärmeleitfähigkeit für die Wärmeableitung in Leistungseinrichtungen.

F3: Kann diese Wafer für extreme UV-Anwendungen (EUV) verwendet werden?
A3:Ja, das ist es.hohe UV-Transparenz(bis zu 350 nm) und Strahlungsbeständigkeit eignen sie für EUV-Lithographiekomponenten und Raumoptik.

F4: Kann die Ausrichtung der C-Ebene angepasst werden?
A5:- Ja, das ist es.A-Ebene (1120) und R-Ebene (1102)Wafer können für spezielle Anwendungen wie SAW-Filter oder Heteroepitaxy hergestellt werden.