Saphir Wafer 8'' Durchmesser 200mm±0.2mm Dicke 725Um C-Plane 99,99% Rein

8" Saphirwafer 200 mm Durchmesser (± 0,2 mm), 725 μm Dicke, C-Ebene, 99,99% Reinheit

Diese hochreine 8-Zoll- (200 mm) Saphirwafer verfügt über außergewöhnliche Maßgenauigkeit (± 0,2 mm Durchmesser, 725 μm Dicke) und kristallographische Ausrichtung (C-Ebene),so dass es ideal für anspruchsvolle optoelektronische und Halbleiteranwendungen geeignet istMit einer Reinheit von 99,99% und einer überlegenen mechanischen/thermischen Stabilität dient die Wafer als optimales Substrat für die Herstellung von LED-, Laserdioden- und HF-Geräten.Die einheitliche Oberflächenbeschichtung und die chemische Trägheit sorgen für eine zuverlässige Ausführung in rauen Umgebungen, während sein großer Durchmesser eine kostengünstige Massenproduktion ermöglicht.

Wesentliche Merkmale von Saphirwafern

Präzisionsgeometrie:

• Durchmesser: 200 mm ± 0,2 mm, um die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterwerkzeugen zu gewährleisten.
• "Technologie" für die "Herstellung" oder "Produktion" von Geräten oder Geräten, die als "technische Geräte" oder "technische Geräte" bezeichnet werden.

Kristallographische Exzellenz:

• C-Ebene (0001) Orientierung, bevorzugt für das epitaxiale Wachstum von GaN in LED/HEMT-Geräten.
• Niedrige Dislokationsdichte (< 1.000 cm−2) für die Hochleistungsgeräteintegration.

Ultra-hohe Reinheit:

• > 99,99% (4N) Reinheit, so dass Verunreinigungen, die die optische/elektrische Leistung beeinträchtigen, minimiert werden.

Robuste Materialeigenschaften:

• Härte: 9 Mohs, Kratzbeständigkeit für eine hohe Haltbarkeit.
• Thermische Stabilität: Schmelzpunkt ~ 2,050°C, geeignet für Hochtemperaturverfahren.
• Optische Transparenz: 85%+ im sichtbaren bis nahe IR-Spektrum (350nm ∼4500nm).

Oberflächenqualität:

• Epitaxy-fähige Polierung: Ra < 0,3 nm für defektfreie Dünnschichtdeposition.
• Optionale doppelseitige Polierung auf Anfrage.

Anwendungen von Saphirwafern

Optoelektronik:

Substrat für blaue/grüne/weiße LEDs (InGaN/GaN-Epitaxie).

Laserdioden (Kanten-Emissions-/VCSEL-Dioden) in Anzeigen und Kommunikation.

Leistungselektronik:

HF-Geräte (5G/6G-Antennen, Leistungsverstärker) aufgrund des geringen dielektrischen Verlustes.

Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMT) für Elektrofahrzeuge.

Industrie und Verteidigung:

IR-Fenster, Raketenkuppeln (Saphir-Transparenz bis zur mittleren IR).

Schutzdeckel für Sensoren in korrosiven/abrasiven Umgebungen.

Neue Technologien:

Quantenrechner (SPD-Kristallsubstrate).

Tragbare Gerätebildschirme (kratzfeste Abdeckungen).

Spezifikationen

Fragen und Antworten

F1: Warum wählen Sie C-Flächensafir für GaN-Epitaxie?
A1:Die hexagonale Symmetrie der C-Ebene entspricht der Kristallstruktur von GaN, wodurch die Gitterunterstimmung reduziert und ein hochwertiges epitaxielles Wachstum für LEDs und Stromgeräte ermöglicht wird.

F2: Wie wirkt sich die Dicke (725 μm) auf die Waferleistung aus?
A2:725 μm bilden eine Balance zwischen mechanischer Stabilität (Reduzierung von Bruch bei der Handhabung) und Wärmeleitfähigkeit, die für eine gleichmäßige Wärmeabgabe in MOCVD-Prozessen entscheidend ist.

F3: Kann diese Wafer für Hochleistungslaseranwendungen verwendet werden?
A3:Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und Transparenz bei UV-NIR-Wellenlängen machen ihn für Laserdioden-Substrate und optische Fenster geeignet.

Q4:Sind benutzerdefinierte Ausrichtungen (z. B. R-Ebene) verfügbar?

A5:A-Plane, R-Plane und M-Plane Wafer können für spezielle Anwendungen wie SAW Geräte angepasst werden.