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Saphirwafer 6'' Durchmesser 150mm±0,1mm Dicke 1000um C-Fläche 99,99% Rein

Produkt-Details

Place of Origin: China

Markenname: zmsh

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Hervorheben:

Safir Wafer 6'

,

1000um Saphirwafer

Material:
>99.99% Sapphire
Orientation:
C-Plane(0001)
Diamater:
150±0.2mm
Thickness:
1000±10um
Warp:
≤20um
BOW:
-15um≤BOW≤0
TTV:
< 10 um
Polished:
SSP Or DSP
Material:
>99.99% Sapphire
Orientation:
C-Plane(0001)
Diamater:
150±0.2mm
Thickness:
1000±10um
Warp:
≤20um
BOW:
-15um≤BOW≤0
TTV:
< 10 um
Polished:
SSP Or DSP
Saphirwafer 6'' Durchmesser 150mm±0,1mm Dicke 1000um C-Fläche 99,99% Rein

Saphir Wafer 6" Durchmesser 150mm±0,1mm Dicke 1000um C-Ebene 99,99% rein

 

Unsere 6-Zoll-Durchmesser-Saphir-Wafer sind präzise konstruierte Einzelkristall-Al2O3-Substrate, die für anspruchsvolle Halbleiteranwendungen entwickelt wurden.1 mm und Standarddicke von 1000±15 μm, bieten diese C-Fläche (0001) orientierten Wafer außergewöhnliche Leistungen für:

  • Produktion von LED-Lösungen und Leistungseinrichtungen auf GaN-Basis
  • Hochfrequenz-HF-Komponenten
  • Fortgeschrittene optische Systeme

 

Saphirwafer 6'' Durchmesser 150mm±0,1mm Dicke 1000um C-Fläche 99,99% Rein 0

 


 

 

Spezifikationen

 

Parameter

Spezifikation

Durchmesser 150.0 ± 0,1 mm
Stärke 1000 ± 10 μm
Orientierung (0001) ±0,15°
TTV < 10 μm
Warpgeschwindigkeit ≤ 20 μm
Verbeugen -15um≤BOW≤0
Warpgeschwindigkeit < 10 μm

 


 

Anwendungen

 

Optoelektronik

  • Mikro-LED-Displays
  • UV-Sterilisationsgeräte
  • Licht mit hoher Helligkeit

 

Elektroelektronik

  • GaN-HEMT für 5G/6G
  • Elektroelektrische Leistungsmodule
  • Radarsysteme

 

Neue Technologien

  • Quantenpunktgeräte
  • MEMS-Resonatoren
  • mit einer Leistung von mehr als 50 W

 

 

Saphirwafer 6'' Durchmesser 150mm±0,1mm Dicke 1000um C-Fläche 99,99% Rein 1

 


 

SchlüsselfaktorenSaphirwafer

 

1. Überlegene thermische Leistung

  • Hohe Wärmeleitfähigkeit: 35 W/m·K @ 25°C
  • Niedrige CTE: 5,3 × 10−6/K (25-500°C)
  • Wärmeschlagfest: widersteht ΔT > 500°C

 

2Optische Exzellenz

  • Breitbandübertragung: 85%@250nm → 92%@450nm → 90%@4000nm
  • Mindestdoppelbrechbarkeit: < 3 nm/cm @ 633 nm
  • Laserpolier: PV <λ/4 @633nm

 

 

3Mechanische Robustheit

  • Extreme Härte: 2000 HV (Mohs 9)
  • Hohe Biegefestigkeit: 700±50 MPa
  • Young-Modul: 400 GPa

 

4. Herstellungsvorteile

  • Durchmesserregelung: 150,0±0,1 mm (kompatibel mit 6" Werkzeugen)
  • Auswahl von Dicken: 430-1000 μm verfügbar
  • Randprofilierung: nach SEMI-Standards eingetastet oder lasermarkiert

 


 

Häufig gestellte Fragen

 

F: 1. Wie sollen Wafer behandelt und gelagert werden?

  1. Verwenden Sie immer den Reinraum (Klasse 1000 oder höher)
  2. Handhabung mit Vakuumstäbchen oder Werkzeugen mit PEEK-Spitzen
  3. Aufbewahren in mit Stickstoff gereinigten Kassetten
  4. Vermeiden Sie UV-Exposition

 

F: 2 Bestellinformationen

Standardkonfigurationen

  • Durchmesser: 150 mm
  • Dicke: 1000 μm
  • Ausrichtung: C-Ebene (0001)
  • Primärfläche: 32,5 mm