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silicon carbide substrate

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kaufen 12 Zoll Saphir Wafer Saphir Substrat Al2O3 Wafer 9.0Mohs durchsichtige SSP DSP C-Achse Online Hersteller

12 Zoll Saphir Wafer Saphir Substrat Al2O3 Wafer 9.0Mohs durchsichtige SSP DSP C-Achse
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2024-08-27 16:38:38
kaufen Maschine zum Schneiden von Diamantdraht mit drei Stationen und einem einzigen Draht zur Verarbeitung von SiC / Saphir / Silizium Online Hersteller

Maschine zum Schneiden von Diamantdraht mit drei Stationen und einem einzigen Draht zur Verarbeitung von SiC / Saphir / Silizium
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2025-07-28 15:27:34
kaufen Sic optische Linse 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Form und Größe angepasst 6SP Dicke 10.05 Online Hersteller

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2025-05-09 17:38:20
kaufen 4 Zoll GaN-on-Si Wafer Galliumnitrid Wafer Epi-Wafer 6 Zoll 8 Zoll Härte 9,0 Mohs für die Leistung RF LED Online Hersteller

4 Zoll GaN-on-Si Wafer Galliumnitrid Wafer Epi-Wafer 6 Zoll 8 Zoll Härte 9,0 Mohs für die Leistung RF LED
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2024-08-23 14:05:10
kaufen Transparente Größe SICs Crystal Optical Lens 4H-SEMI Customzied Online Hersteller

Transparente Größe SICs Crystal Optical Lens 4H-SEMI Customzied
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2022-06-23 10:11:45
kaufen Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden Online Hersteller

Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden
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2025-04-14 17:40:13
kaufen 4H-N 4inch 6inch sic Oblaten-Halbleiter-Material für SBD MOS Device Online Hersteller

4H-N 4inch 6inch sic Oblaten-Halbleiter-Material für SBD MOS Device
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2023-04-26 13:50:08
kaufen SiC-Kristallwachstumsöfen PVT LPE HT-CVD hochwertige SiC-Kristallwachstumsmethode Online Hersteller

SiC-Kristallwachstumsöfen PVT LPE HT-CVD hochwertige SiC-Kristallwachstumsmethode
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2025-02-21 16:42:38
kaufen CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie Online Hersteller

CVD SiC Epitaxy Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Epitaxy Dicke 2,5-120 um für elektronische Energie
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2024-05-07 18:17:32
kaufen Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten Online Hersteller

Der SiC-Ingot-Wachstufen verwendet PVT, Lely TSSG und LPE-Methoden, um große Kristalle von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll zu züchten
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2025-02-21 16:42:38
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Schablone 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

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