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4 Zoll Saphir Wafer Saphir Substrat Al2o3 Wafer 9,0 mAh Transparent Ssp C-Achse

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SiC-Samenwafer 8 Zoll Dicke 600±50um 4H-Typ Produktionsgrad für Silikonkarbid Kristallwachstum

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Diamant-Kupfer-Verbundwerkstoff mit hoher Wärmeleitfähigkeit COS-Serie Gerätepaket

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4 Zoll Saphir Wafer DSP Durchmesser 100 mm Dicke 500μm Ra ≤ 0.2nm Für Mikro-LED

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Saphirstangen Kleine Größe 99,999% Al2O3 angepasst 90% Übertragbarkeit für Biosensoren

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SiC-Kristall-Samenwaffen Dia 205 203 208 Produktionsgrad PVT/HTCVD-Wachstum

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Saphir Wafer 3" Dia76.2±0.1mm, Dicke 550um, C-Plane 0001 DSP/SSP

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Saphir Wafer 2 " Durchmesser 50,8 mm ± 0,1 mm Dicke 350um C-Ebene

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Saphir Wafer 4" Durchmesser 100mm±0,1mm Dicke 650um C-Fläche maßgeschneiderte Polierung

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