Saphirwafel C-Ebene bis A 0.2±0.1°off 99,999% Al2O3 Dia 50.8 Dicke 430um DSP SSP

2 "Saphir Wafer C-Plane bis A 0,2°±0,1° Ab, 99,999% Al2O₃, 430Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

Das hier.Zwei Zentimeter große SaphirwaferFeatures hochpräziseC-Ebene bis A-Achse abgeschnitten (0,2°±0,1°)und99Reinheit von 0,999% (5N), optimiert für Hochleistungs-Epitaxialwachstum und spezialisierte optoelektronische Anwendungen.430 μm Dickeund Optionen fürmit einer Breite von mehr als 10 mm,, bietet die Wafer eine außergewöhnliche Oberflächenqualität (Ra <0,3 nm) und kristallographische Konsistenz, was sie ideal für GaN-basierte Geräte, Lasersysteme und Forschungssubstrate macht.Die kontrollierte Ausrichtung außerhalb der Achse reduziert die Schritt-Bunching-Fehler während der Epitaxie, während die ultrahohe Reinheit eine minimale Verminderung der durch Verunreinigungen bedingten Leistung in sensiblen Anwendungen wie Quantenoptik und HF-Filtern gewährleistet.

Wesentliche Merkmale

Präzisionsorientierung außerhalb des Schnitts:

C-Ebene bis A-Achse 0,2°±0,1° abgeschnitten, entwickelt, um die Einheitlichkeit der epitaxialen Schicht zu verbessern und Defekte beim GaN-Wachstum zu reduzieren.

Ultra-hohe Reinheit:

990,999% (5N) Al2O₃, mit Spurenverunreinigungen (Fe, Ti, Si) < 5 ppm, kritisch für Hochfrequenz- und Niedrigverlustgeräte.

Submikronenoberflächenqualität:

Optionen für DSP/SSP:

DSP: Ra < 0,3 nm (beide Seiten), ideal für optische und Laseranwendungen.

SSP: Ra < 0,5 nm (Vorderseite), kostengünstig für die Epitaxie.

TTV < 5 μmfür eine gleichmäßige Dünnschichtdeposition.

Materielle Exzellenz:

Wärmestabilität: Schmelzpunkt ~ 2,050°C, geeignet für MOCVD/MBE-Prozesse.

Optische Transparenz: Übertragung von > 90% (400 nm ≈ 4000 nm).

Mechanische Robustheit: 9 Mohs-Härte, resistent gegen chemische Ätze.

Konsistenz im Bereich Forschung:

Ausfalldichte < 300 cm- - -², die eine hohe Ertragsrate für FuE und Pilotproduktion gewährleistet.

Anwendungen

GaN-Epitaxie:

LEDs/Laserdioden: Blaue/UV-Strahler mit reduzierten Gießverläufen.

HEMT: Transistoren mit hoher Elektronenmobilität für 5G und Radar.

Optische Komponenten:

Laserfenster: geringer Streuverlust bei CO2- und UV-Lasern.

Wellenführer: DSP-Wafer für die integrierte Photonik.

Geräte für akustische Wellen:

SAW/BAW-Filter: Off-Cut-Orientierung verbessert die Frequenzstabilität.

Quantentechnologien:

Einphotonenquellen: Hochreine Substrate für SPDC-Kristalle.

Industrielle Sensoren:

Druck-/Temperatursensoren: Chemisch inerte Abdeckungen für raue Umgebungen.

Spezifikationen

Fragen und Antworten

F1: Warum wählen Sie einen 0,2° Abbruch anstelle der Standard-C-Ebene?
A1:Die0.2° Off-Cut unterdrückt Schritt-Bunchingwährend der GaN-Epitaxie die Schichtgleichheit zu verbessern und Defekte bei hochhellen LEDs und Laserdioden zu reduzieren.

F2: Wie wirkt sich die Reinheit von 5N auf die Leistung des HF-Geräts aus?
A2: 99.999% Reinheit minimiert dielektrische Verlustebei hohen Frequenzen, die für 5G-Filter und Geräuscharme Verstärker von entscheidender Bedeutung sind.

F3: Können DSP-Wafer zur direkten Verklebung verwendet werden?
A3:Ja, DSPs.< 0,3 nm Raubigkeitermöglicht eine Bindung auf atomarer Ebene für heterogene Integration (z. B. Saphir auf Silizium).

F4: Was ist der Vorteil einer Dicke von 430 μm?
A4:Ausgleichsbeträgemechanische Festigkeit(zur Handhabung) mitWärmeleitfähigkeit, optimal für eine schnelle thermische Verarbeitung.