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N-artige/UNO-lackierte Art GaAs-Oblaten GaSb 2inch InAs Wafers

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Kundenspezifischer einzelner Crystal Sapphire Optical Lens Optical Glass Windows

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6 Zoll Sapphire Wafer BF33 für GaAs-Halbleiter-Trägerplatte

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Mikro-Jet-Laser-Ausrüstung für das Abrunden von Silikonkarbid-Wafer und das Aufteilen von Wafer auf Silikonbasis

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Silikonkarbid-Seed-Wafer des Typs 4H Dia 157±0,5 mm Dicke 500±50um Monokristallfläche > 153 mm

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4 Zoll Si-Wafer Dia 100mm Dicke 350um Ausrichtung <100> DSP SSP kundenspezifische Silizium-Wafer N-Typ P-Typ

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Saphirheber Saphirstangen Präzisionsfertigung Industrieanwendungen Waferbehandlung

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