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2/4/6/8 Zoll Sic Siliziumkarbid Kristall-Samen-Substrat 4H-N Typ Hohe Härte P-Klasse R-Klasse D-Klasse

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blinder hoher Reinheitsgrad 4h-semi des Produktion Forschungs-Grad-Silikon-Karbids UNO-lackierte transparente sic Oblate

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Hochreines Siliziumcarbid (SiC) Pulver 99,9999% (6N) HPSI Typ 100μm Partikelgröße SIC Kristallwachstum

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sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

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BLINDE Hauptgrad 6inch Silikonkarbid sic Stärkesubstrate Oblaten-0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi

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Keramisches Substrat hohes Wärmeleitfähigkeits-keramisches Substrat-Aluminium-Nitrid AlN

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6 keramisches Substrat des Zoll-1.0mm, Tonerde-keramische Platte für die Halbleiter-Verarbeitung

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Keramische Oblaten-ausgezeichnete elektrische Eigenschaften des Substrat-Al2O3 für Gleitringdichtungen

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Kundengebundenes Größen-Silikon-Karbid, das keramische Reinheit des Laufring-98% poliert

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​​SiC-Keramik-Kugellager G5-Gütegrad hohe Härte​​

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SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm​​

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​​Customized SiC Ceramic Suction Cups for Lithography Applications​​

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