logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Startseite Produkte

Halbleiter-Ausrüstung

Alle Produkte
Gallium-Nitrid-Oblate (35)
Saphir-Oblate (88)
Sic Substrat (132)
Saphir optisches Windows (77)
IC-Siliziumscheibe (22)
Synthetischer Saphir Rod (13)
Fixierter Quarz-Platte (40)
Saphir-Teile (114)
Synthetischer Edelstein (72)
Halbleiter-Ausrüstung (55)
Oblate LiNbO3 (18)
GaAs-Oblate (24)
Indium-Phosphid-Oblate (34)
keramisches Substrat (25)
Laborverpackung (31)
Ich bin online Chat Jetzt
China ​​Invertierte Mehrdrahtsägemaschine für hochpräzises Diamantdrahtschneiden​​ distributeur
​​Invertierte Mehrdrahtsägemaschine für hochpräzises Diamantdrahtschneiden​​

Halbleiter-Ausrüstung

(69)
China Laser-Holographische Markierungsanlage gegen Fälschungen mit 2500 W-Ausgangsleistung Fabrik

Laser-Holographische Markierungsanlage gegen Fälschungen mit 2500 W-Ausgangsleistung
Kontakt

Laser-Holographische Markierungsanlage gegen Fälschungen mit 2500 W-Ausgangsleistung Zusammenfassung der Laser-Holographic Anti-Fälschungsanlage Die laserinduzierte Strukturfarblithographie (LSCL) ist eine ... Lesen Sie weiter
2025-05-06 18:21:35
China Hochpräzise Laserbohrmaschine mit hoher Effizienz für die Verarbeitung von Mikro-Löchern Wellenlänge 1064 nm Fabrik

Hochpräzise Laserbohrmaschine mit hoher Effizienz für die Verarbeitung von Mikro-Löchern Wellenlänge 1064 nm
Kontakt

Beschreibung des Produkts Hochpräzisionslaserbohrmaschine mit hoher Wirkungsgrad und Wellenlänge 1064 nm · Laserquelle:Die Kernkomponente, die in der Regel Faserlaser, CO2-Laser oder ultraviolette Laser ... Lesen Sie weiter
2025-04-29 10:21:39
China Thermo-Komprimierungs-Anodiebindungsanlage Wärmedruckbindung Si Cu Al-Ge Material 600 °C 2-8 Zoll Fabrik

Thermo-Komprimierungs-Anodiebindungsanlage Wärmedruckbindung Si Cu Al-Ge Material 600 °C 2-8 Zoll
Kontakt

Thermo-Komprimierungs-Anodiebindungsanlage Wärmedruckbindung Si Cu Al-Ge Material 600 °C 2-8 Zoll Zusammenfassung von Anodiebindungsanlagen zur Thermo-Kompression Die Thermocompression Anodic Bonding Equipment ... Lesen Sie weiter
2025-04-23 15:21:41
China Wafer-Bindungsausrüstung Raumtemperatur Bindung in Hydrophiler Bindung Si-SiC Si-Si Bindung 2 -12 Zoll Fabrik

Wafer-Bindungsausrüstung Raumtemperatur Bindung in Hydrophiler Bindung Si-SiC Si-Si Bindung 2 -12 Zoll
Kontakt

Waferverbindungsanlage Raumtemperatur Bindungsin Hydrophiler Bindung Si-SiC Si-Si Bindung 2 -12 Zoll Übersicht über das Waferbindungssystem Wafer-Bindungsausrüstung ist eine High-End-Bindungsausrüstung, die ... Lesen Sie weiter
2025-04-18 11:43:18
China Automatischer Halbleiter-Schnellglühen-Ofen mit doppelter Hohlräume, kompatibel mit Wafer-Wärmebehandlungsanlagen mit einer Größe von 200-1300°C Fabrik

Automatischer Halbleiter-Schnellglühen-Ofen mit doppelter Hohlräume, kompatibel mit Wafer-Wärmebehandlungsanlagen mit einer Größe von 200-1300°C
Kontakt

Beschreibung des Produkts Automatischer Halbleiter-Schnellglühen-Ofen mit Doppel-Hohlraum, kompatibel mit Wafer-Wärmebehandlungsanlagen von 6", 8", 12" 200-1300°C Der automatische Doppelkammer-Schnellbrennöfen ... Lesen Sie weiter
2025-04-14 17:42:08
China Galliumarsenid-Optikfasertemperatursensor Kleine Sondengröße 0,5 mm Temperaturmessgenauigkeit ±0,1°C Fabrik

Galliumarsenid-Optikfasertemperatursensor Kleine Sondengröße 0,5 mm Temperaturmessgenauigkeit ±0,1°C
Kontakt

Abstract Galliumarsenid-Optikfasertemperatursensor Kleine Sondengröße 0,5 mm Temperaturmessgenauigkeit ±0,1°C Galliumarsenid (GaAs) -optischer Fasertemperatursensor ist eine Art kontaktloses Temperaturmesssyst... Lesen Sie weiter
2025-04-14 17:40:13
China Ausrüstung für die Mikrojet-Lasertechnologie Fabrik

Ausrüstung für die Mikrojet-Lasertechnologie
Kontakt

Zusammenfassung von mAusrüstung für die Lasertechnologie icrojet Ausrüstung für die Mikrojet-Lasertechnologie Microjet-Laser-Systeme ermöglichen eine hochpräzise Bearbeitung von Halbleitermaterialien, indem sie ... Lesen Sie weiter
2025-04-14 17:40:13
China Mikrofluidische Laserausrüstung für die Verarbeitung von Halbleiterwafern Fabrik

Mikrofluidische Laserausrüstung für die Verarbeitung von Halbleiterwafern
Kontakt

Zusammenfassung von mAusrüstung für die Lasertechnologie icrojet Mikrofluidische Laserausrüstung für die Verarbeitung von Halbleiterwafern Die Mikrojet-Lasertechnologie ist eine fortschrittliche und weit ... Lesen Sie weiter
2025-04-14 17:40:13
China Bionische Schieberegler mit hoher Reibung mit geringer Haftung Fabrik

Bionische Schieberegler mit hoher Reibung mit geringer Haftung
Kontakt

Bionische Rutschsicherung Abstract Bionische Schieberegler mit hoher Reibung mit geringer Haftung Bionische Rutschsicherung ist ein leistungsfähiges Rutschsicherungsinstrument, das biologische Strukturen ... Lesen Sie weiter
2025-04-14 17:40:13
China Monokristalline Silizium-Doppelstation-Quadratmaschine 6/8/12 Zoll Burr ≤0,5 mm hohe Präzision ±0,05 mm Fabrik

Monokristalline Silizium-Doppelstation-Quadratmaschine 6/8/12 Zoll Burr ≤0,5 mm hohe Präzision ±0,05 mm
Kontakt

Abstract Monokristalline Silizium-Doppelstation-Quadratmaschine 6/8/12 Zoll Burr ≤0,5 mm hohe Präzision ±0,05 mm Im Bereich der Verarbeitung von Halbleitermaterialien monocrystalline silicon two-root vertical ... Lesen Sie weiter
2025-04-14 17:40:13
Page 5 of 7|< 1 2 3 4 5 6 7 >|
Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad UNO-lackierte Silikon-Karbid-sic Oblate, Silikon-Karbid-Substrat 6Inch 4H-Semi sic

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4H-SEMI polierte sic Oblatenlinse 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 Härte für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Wafer Dicke 0,43 mm Saphir-Komponenten individuell angepasst Größe und Ausrichtung

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Gallium-Nitrid-Oblate

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Schablone 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN auf Saphirc$epi-oblate AlN-Auf-Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate

Referenzen

E-Mail | Sitemap

Mobile Seite
Datenschutz-Bestimmungen | China Gut Qualität Gallium-Nitrid-Oblate Lieferant. © 2018 - 2025 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD. All Rights Reserved.