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4" Gallium-Nitrid-Oblate

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Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um
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Gallium-Nitrid-Oblate

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China Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um usine

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freistehende GaN Substrate 2inch, GaN-Oblate für LD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für geführt, GaN-Schablone, 10x10mm GaN Substrate, gebürtige GaN-Oblate, III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus) Verbotene Abdeckung ... Lesen Sie weiter
2020-12-19 20:55:01
China 2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material usine

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material
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Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN, freistehende GaN-Substrate durch kundengebundene Größe, kleine GaN-Oblate für LED, mocvd... Lesen Sie weiter
2020-12-19 20:54:32
China Aluminium-Nitrid-Substrat-Oblatenschicht 2INCH AlN auf 0.43mm Saphiroblate usine

Aluminium-Nitrid-Substrat-Oblatenschicht 2INCH AlN auf 0.43mm Saphiroblate
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Schablone 2inch AlN auf Saphir oder sic Substraten, HVPE-Gallium-Nitridoblate, AlN-Substrate auf GaN Wir bieten Monokristall-AlN-Substrate auf Cflächensaphirschablone an, die AlN-Oblate oder AlN-Schablone, für ... Lesen Sie weiter
2020-12-19 20:53:56
China GaN-Oblate Gallium-Nitrid-Oblate Leistungsfähigkeit der hohen Leistung für Energiesparende Beleuchtung usine

GaN-Oblate Gallium-Nitrid-Oblate Leistungsfähigkeit der hohen Leistung für Energiesparende Beleuchtung
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Gallium-Nitrid GaN-Oblate Methode 2inch HVPE, freie stehende GaN-Substrate für LED-applicaion, 10x10mm Größe GaN-Chips, Oblate HVPE GaN Über GaN-Eigenschaft führen Sie ein Die steigende Nachfrage nach den ... Lesen Sie weiter
2020-12-19 20:52:49
China 2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt usine

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt
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Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN, GaN-Spezifikationen/spezielle Eigenschaften: Galliumnitrid (GaN) ist ein sehr hartes ... Lesen Sie weiter
2020-12-19 20:52:21
China Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate usine

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate
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Nitrid AlN-Schablonenoblate des Gallium-2inch, 4inch auf Saphir oder sic Substrate, HVPE-Gallium-Nitridoblate, AlN-Schablonen III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus) Verbotene Abdeckung der Bandbreite (lichtemittierend ... Lesen Sie weiter
2020-12-19 20:51:08
China GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP usine

GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP
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kundengebundener Orientierung 2inch SSP Saphir-Trägersubstratchip für GaN-Schablone wachsen Anwendung Saphiroblatenfördermaschinen werden zu anspruchsvollen Spezifikationen hergestellt und eine stabile F... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe usine

HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe
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Gallium-Nitrid GaN-Oblate Methode 2inch HVPE, freie stehende GaN-Substrate für LD, 10x10mm Größe GaN-Chips, Oblate HVPE GaN Über GaN-Eigenschaft führen Sie ein Die steigende Nachfrage nach den Hochgeschwindigke... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll usine

Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll
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Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN, freistehende GaN-Substrate durch kundengebundene Größe, kleine GaN-Oblate für LED, mocvd... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China Undoped halb- isolierende Gallium-Nitrid-Oblate HVPE und Schablonen-Art usine

Undoped halb- isolierende Gallium-Nitrid-Oblate HVPE und Schablonen-Art
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Gallium-Nitrid GaN-Oblate Methode 2inch HVPE, freie stehende GaN-Substrate für LD, 10x10mm Größe GaN-Chips, Oblate HVPE GaN Über GaN-Eigenschaft führen Sie ein Die steigende Nachfrage nach den Hochgeschwindigke... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
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Sic Substrat

Hoher Reinheitsgrad-Silikon-Karbid-Wafer, 6 Zoll 4H - halb sic Silikon-Karbid-Substrat

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4 H - HALB polierte sic Härte des Wafer-6 des Zoll-9,0 für Gerät-Material

Saphir-Oblate

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Komponenten der Stärke-0.43mm fertigten Größe und Orientierungen besonders an

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

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