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Gallium-Nitrid-Oblate

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Gallium-Nitrid-Oblate

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China Handaufladungsportable usb tragen geführte helle UVC-geführte Sterilisationsdesinfektions-Elektronikausrüstung usine

Handaufladungsportable usb tragen geführte helle UVC-geführte Sterilisationsdesinfektions-Elektronikausrüstung

Handaufladungsportable usb tragen geführte helle UVC Sterilisationsdesinfektionselektronik-Ausrüstungslampe/Ausgangs- und Hotel Körperpflege-Desinfektion Produkt erklären: Produkt-Name UVC Sterilisator-Stab ... Lesen Sie weiter
2020-04-30 11:10:32
China 2 / 4 Zoll-Gallium-Nitrid AlN-Schablonen-Wafer auf Saphir, sic Substrate usine

2 / 4 Zoll-Gallium-Nitrid AlN-Schablonen-Wafer auf Saphir, sic Substrate

Nitrid AlN-Schablonenoblate des Gallium-2inch, 4inch auf Saphir oder sic Substrate, HVPE-Gallium-Nitridoblate, AlN-Schablonen III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus) Verbotene Abdeckung der Bandbreite (lichtemittierend ... Lesen Sie weiter
2020-04-23 11:53:19
China GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP usine

GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP

kundengebundener Orientierung 2inch SSP Saphir-Trägersubstratchip für GaN-Schablone wachsen Anwendung Saphiroblatenfördermaschinen werden zu anspruchsvollen Spezifikationen hergestellt und eine stabile F... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China Leistungsfähigkeits-Gallium-Nitrid-Oblate der hohen Leistung für Energiesparende Beleuchtung usine

Leistungsfähigkeits-Gallium-Nitrid-Oblate der hohen Leistung für Energiesparende Beleuchtung

Gallium-Nitrid GaN-Oblate Methode 2inch HVPE, freie stehende GaN-Substrate für LED-applicaion, 10x10mm Größe GaN-Chips, Oblate HVPE GaN Über GaN-Eigenschaft führen Sie ein Die steigende Nachfrage nach den ... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe usine

HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe

Gallium-Nitrid GaN-Oblate Methode 2inch HVPE, freie stehende GaN-Substrate für LD, 10x10mm Größe GaN-Chips, Oblate HVPE GaN Über GaN-Eigenschaft führen Sie ein Die steigende Nachfrage nach den Hochgeschwindigke... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China Monokristallaluminium-nitrid-Substrate, Aluminium-Nitrid-Oblaten-Schablone usine

Monokristallaluminium-nitrid-Substrate, Aluminium-Nitrid-Oblaten-Schablone

Schablone 2inch AlN auf Saphir oder sic Substraten, HVPE-Gallium-Nitridoblate, AlN-Substrate auf GaN Wir bieten Monokristall-AlN-Substrate auf Cflächensaphirschablone an, die AlN-Oblate oder AlN-Schablone, für ... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China HVPE-Gallium-Nitrid-Oblate kundengebundenes Größe freistehendes einzelner Kristall-Material GaN usine

HVPE-Gallium-Nitrid-Oblate kundengebundenes Größe freistehendes einzelner Kristall-Material GaN

Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN, freistehende GaN-Substrate durch kundengebundene Größe, kleine GaN-Oblate für LED, mocvd... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll usine

Halbleiter-Gallium-Nitrid-Wafer, GaN-Substrat-Schablone N - Art - 2 Zoll

Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN, freistehende GaN-Substrate durch kundengebundene Größe, kleine GaN-Oblate für LED, mocvd... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China Oblate GaN-Gallium-Nitrid-Substrat-Schablone der Wurtzit-Kristallstruktur-LED usine

Oblate GaN-Gallium-Nitrid-Substrat-Schablone der Wurtzit-Kristallstruktur-LED

Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN, GaN-Spezifikationen/spezielle Eigenschaften: Galliumnitrid (GaN) ist ein sehr hartes ... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
China Stärke-Weiß-Farbe der Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-Oblaten-330um usine

Stärke-Weiß-Farbe der Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-Oblaten-330um

freistehende GaN Substrate 2inch, GaN-Oblate für LD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für geführt, GaN-Schablone, 10x10mm GaN Substrate, gebürtige GaN-Oblate, III-Nitrid (GaN, AlN, Gasthaus) Verbotene Abdeckung ... Lesen Sie weiter
2019-07-10 17:43:54
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