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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC
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Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC

Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC

Herkunftsort China
Markenname zmsh
Modellnummer 6inch-001
Produkt-Details
Anwendungen:
Gerät, geführt, 5G, Detektor, Leistungselektronik
Industrie:
semicondctor Oblate
Material:
Halbleiter sic
Farbe:
grün oder weiß oder blau
Härte:
9,0
Art:
4H, 6H, lackiert, NO-lackiert,
Markieren: 

semicondctor Silikonkarbidsubstrat

,

Substrat 6 Zoll sic

,

Blinde des Grades Oblate sic

Produkt-Beschreibung

Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC

Oblate Substrates 350um 6inch 4H-N 500mm sic für Pulvergerät

 

6 Zoll Durchmesser, Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation  
Grad Nullmpd-Grad Produktions-Grad Forschungs-Grad Blinder Grad
Durchmesser 150,0 mm±0.2mm
ThicknessΔ 350 μm±25μm oder 500±25un
Oblaten-Orientierung Weg von der Achse: 4.0° in Richtung zu< 1120=""> ±0.5° für 4 H-N On die Achse: <0001> ±0.5° für 6H-SI/4H-SI
Primärebene {10-10} ±5.0°
Flache hauptsächlichlänge 47,5 mm±2.5 Millimeter
Randausschluß 3 Millimeter
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
Micropipe-Dichte cm2 ≤1 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤100
Widerstandskraft 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Rauheit Polnisches Ra≤1 Nanometer
CMP Ra≤0.5 Nanometer
Sprünge durch Licht der hohen Intensität Kein 1 gewährt, ≤2 Millimeter Kumulatives Länge ≤ 10mm, einzelnes length≤2mm
Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität Kumulativer Bereich ≤1% Kumulativer Bereich ≤2% Kumulativer Bereich ≤5%
Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität Kein Kumulatives area≤2% Kumulatives area≤5%
Kratzer durch Licht der hohen Intensität 3 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer
Randchip Kein 3 gewährt, ≤0.5 Millimeter jeder 5 gewährt, ≤1 Millimeter jeder
Verschmutzung durch Licht der hohen Intensität Kein

 

 

Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC 0Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC 1
 
Über unsere Firma
 
SHANGHAI BERÜHMTE GESCHÄFTSco., Ltd. findet in der Stadt von Shanghai, das die beste Stadt von China ist, und unsere Fabrik wird in Wuxi-Stadt im Jahre 2014 gegründet.
Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu custiomized optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung.
Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten reputatiaons.
 
Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC 2Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC 3Silikon-Karbid-sic Substrat-blinder Hauptgrad Oblate 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC 4
 

Umbauten:

sic Oblate,

sic Substrat,

Silikonkarbidsubstrat

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