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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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300mm Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-Silikon für Energie Mikro-LED
  • 300mm Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-Silikon für Energie Mikro-LED
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300mm Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-Silikon für Energie Mikro-LED

Herkunftsort China
Markenname ZMSH
Zertifizierung rohs
Modellnummer GaN-AUF-Silikon 6/8/12INCH
Produkt-Details
Materialien:
Silizium-Substrat
Epi-Schichtdicke:
2-7um
Material:
Galliumnitrid-Wafer
Traditionelle Herstellung unter Verwendung:
Molekularstrahl-Epitaxie
MOQ:
1 Stück
Größe:
4 Zoll/6 Zoll/8 Zoll/12 Zoll
Anwendung:
Anwendung von Mikro-LED
Elektronische Nutzung:
Elektronik, Hochgeschwindigkeitsschaltkreise, Infrarotkreise
Markieren: 

Si Epi-Aluminium-Nitrid-Oblate

,

Mikro-LED-Galliumarsenid-Oblate

,

300mm Gallium-Nitrid-Oblate

Produkt-Beschreibung

 

 

8inches 12inches 6inches GAN-ON-SI EPI-WAFERS für für Power RF Mikro-LED-Anwendung

8 Zoll 100 mm 150 mm 200 mm 300 mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS für die Stromanwendung

 

GaN-Epitaxialwafer (GaN-EPI auf Silizium)
Galliumnitrid (GaN) wurde aufgrund seiner großen Energielücke in Stromgeräten und blauen Leuchtdioden weit verbreitet.


Einleitung
Es gibt einen wachsenden Bedarf an Energieeinsparungen und Fortschritte in den Informations- und Kommunikationssystemen.Wir haben ein breitbandes Halbleiter-Substrat mit Galliumnitrid (GaN) als Halbleitermaterial der nächsten Generation entwickelt..
Konzept: Durch das Anbauen von einkristallinen dünnen GaN-Folien auf Siliziumsubstraten können wir große, kostengünstige Halbleiter-Substrate für Geräte der nächsten Generation herstellen

.
Ziel: für Haushaltsgeräte: Schaltanlagen und Wechselrichter mit Ausfallspannungen in den Hunderten. für Mobilfunkbasen: Hochleistungs- und Hochfrequenztransistoren.
Vorteile: Unsere Siliziumsubstrate sind günstiger für den Anbau von GaN als andere Siliziumkarbid- oder Saphirsubstrate, und wir können GaN-Geräte liefern, die auf die Anforderungen der Kunden zugeschnitten sind.


Glossar
Breitbandlücke
Band gap refers to the energy field formed by the band structure in a crystal that does not contain electrons (semiconductor materials with a band gap larger than silicon are often referred to as wide band gap semiconductors). Breitbandmaterial mit guter optischer Transparenz und hoher elektrischer Abbruchspannung


Heteroanschluss
Im Allgemeinen werden im Halbleiterbereich relativ dünne Folien von Halbleitermaterialien mit unterschiedlicher Zusammensetzung gestapelt.Bei gemischten KristallenDurch diese Schnittstellen entsteht eine zweidimensionale Elektronengasschicht mit hoher Elektronenmobilität.

 

Spezifikationen für Blaue GaN-on-Si-Epi-Wafer für Stromverbrauch
 
 
Produktspezifikation
Posten Werte/Geltungsbereich
Substrat Si
Waferdurchmesser 100 mm, 150 mm, 200 mm, 300 mm
Epi-Schichtdicke 2-7 μm
Waferbogen < 30 μm, typisch
Oberflächenmorphologie RMS < 0,5 nm in 5×5 μm2
Barriere AlXGa1-XN, 0
Kapschicht In-situ SiN oder GaN (D-Modus); p-GaN (E-Modus)
2DEG-Dichte > 9E12/cm2 (20nm Al0,25GaN, 150mm)
Elektronenmobilität > 1800 cm2 /Vs (20nm Al0.25GaN, 150mm)
 
300mm Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-Silikon für Energie Mikro-LED 0
300mm Gallium-Nitrid-Oblaten-GaN-AUF-Silikon für Energie Mikro-LED 1
Wir sind bestrebt, hochwertige GaN-Epiwafer für Power-Elektronik, RF und Micro-LED-Anwendungen bereitzustellen.
 
Geschichte • 2012 als reine Epi-Gießerei für GaN-Wafer gegründet
Technologie • Patentierte Technologie für Substrattechnik, Pufferkonstruktion, aktive Region
Optimierung für hochwertige, flache und rissfreie Epi-Strukturen.
 
• Die Mitglieder des technischen Kernteams verfügen alle über mehr als 10 Jahre Erfahrung in GaN
Kapazität
• 3.300 m2 Reinraum der Klasse 1000
• 200 000 Stück/Jahr für 150 mm GaN-Epiwafer
Erzeugnis
Vielfalt
• GaN-on-Si (bis zu 300 mm)
• GaN-on-SiC (bis zu 150 mm)
• GaN-on-HR_Si (bis zu 200 mm)
• GaN-on-Sapphire (bis zu 150 mm)
• GaN auf GaN
• ~400 Patente in China, den USA, Japan usw.
mit > 100 gewährt
• Lizenz von 80 Patenten von imec
• ISO9001:2015-Zertifikat für Design und
Herstellung von GaN-Epi-Material
 

Häufige Fragen:

 

F: Was ist Ihr MOQ?

A: (1) Für Lagerbestände beträgt die MOQ 1 Stück.

(2) Bei kundenspezifischen Produkten beträgt die MOQ 5 Stück.

 

F: Wie ist der Versand und die Kosten?

A:(1) Wir akzeptieren DHL, Fedex, EMS usw.

(2) Wenn Sie ein eigenes Expresskonto haben, ist das toll. Wenn nicht, können wir Ihnen helfen, sie zu versenden.

Die Fracht entspricht der tatsächlichen Rechnung.

 

F: Wie ist die Lieferzeit?

Für Bestände: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Bestellung.

Für maßgeschneiderte Produkte: Die Lieferung erfolgt 2 oder 3 Wochen nach Bestellung.

 

F: Haben Sie Standardprodukte?

A: Unsere Standardprodukte sind auf Lager.0.5mm polierte Wafer.

F: Wie zahlen?

A: 50% Anzahlung, vor Lieferung T/T,

F: Kann ich die Produkte anhand meiner Bedürfnisse anpassen?

A: Ja, wir können das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung für Ihre optische

Komponenten, die auf Ihren Bedürfnissen basieren.

 

Treten Sie mit uns jederzeit in Verbindung

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, Dianshanhu-Allee, Qingpu-Bereich, Shanghai-Stadt, CHINA
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