Hoher Reinheitsgrad-Silikon-Karbid-Wafer, 6 Zoll 4H - halb sic Silikon-Karbid-Substrat

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

sic Silikon-Karbid des Barren-4inch 5 - 15mm Stärke für Halbleiter

4 H - HALB polierte sic Härte des Wafer-6 des Zoll-9,0 für Gerät-Material

Windows-Special-Orientierung des Halbleiterwafer-kundenspezifische Saphir-Glas-/Saphir

Saphir-Komponenten der Stärke-0.43mm fertigten Größe und Orientierungen besonders an

Quadratische Saphir-Oblate/Saphir-Kristallglas 10x10mm 5x5mm für optische Linse

2°Off C - Achsen-synthetischer Saphir Glas-Epi - bereiter Zoll Durchmesser 50.8mm der Substrat-2

Stärke Laser-Projektions-Anzeigen-Gallium-Nitrid-GaN Wafers 350um

2inch 4inch freistehender GaN Gallium Nitride Substrates Template für geführt

Aluminium-Nitrid-Substrat-Oblatenschicht 2INCH AlN auf 0.43mm Saphiroblate

Gallium-Nitrid GaN AlN 2inch 4Inch Schablonen-Oblate auf Saphir, Si-Substrate