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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material
  • 2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material
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2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material

Herkunftsort China
Markenname zmkj
Modellnummer GaN-nicht-polar
Produkt-Details
Material:
Einzelner Kristall GaN
Methode:
HVPE
Größe:
10x10mm, 5x5mm
Stärke:
350um
Industrie:
LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor,
Oberfläche:
singen Sie, oder doppelte Seite poliseed
Grad:
für LD
Art:
Apolarer freistehender GaN Substrates
Markieren: 

gan Substrat

,

gan Schablone

Produkt-Beschreibung

2-Zoll-GaN-Substrate-Vorlage, GaN-Wafer für LeD, halbleitender Galliumnitrid-Wafer für ld, GaN-Vorlage, mocvd-GaN-Wafer, freistehende GaN-Substrate nach kundenspezifischer Größe, kleiner GaN-Wafer für LED, mocvd-Galliumnitrid-Wafer 10 x 10 mm, 5 x 5 mm, 10 x 5 mm GaN Wafer, unpolare freistehende GaN-Substrate (a-Ebene und m-Ebene)

 

Eigenschaften des GaN-Wafers

Produkt Galliumnitrid (GaN)-Substrate
Produktbeschreibung: Das Saphhir-GaN-Template wird vorgestellt Epitxial Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE)-Methode.Beim HVPE-Prozess wird die durch die Reaktion erzeugte GaCl-Säure, die wiederum mit Ammoniak zu Galliumnitrid umgesetzt wird, geschmolzen.Die epitaktische GaN-Schablone ist eine kostengünstige Möglichkeit, Galliumnitrid-Einkristallsubstrate zu ersetzen.
Technische Parameter:
Größe 2 "rund; 50 mm ± 2 mm
Produktplatzierung C-Achse <0001> ± 1,0.
Leitfähigkeitstyp N-Typ & P-Typ
Widerstand R <0,5 Ohm-cm
Oberflächenbehandlung (Ga-Fläche) WIE gewachsen
Effektivwert <1nm
Verfügbare Fläche > 90 %
Spezifikationen:

 

GaN-Epitaxiefilm (C-Ebene), N-Typ, 2 "* 30 Mikrometer, Saphir;

GaN-Epitaxiefilm (C-Ebene), N-Typ, 2 "* 5 Mikrometer Saphir;

GaN-Epitaxiefilm (R Plane), N-Typ, 2 "* 5 Mikrometer Saphir;

GaN-Epitaxiefilm (M Plane), N-Typ, 2 "* 5 Mikrometer Saphir.

AL2O3 + GaN-Film (N-dotiertes Si);AL2O3 + GaN-Film (P-dotiertes Mg)

Hinweis: Je nach Kundenwunsch spezielle Steckerausrichtung und -größe.

Standardverpackung: 1000 Reinräume, 100 Säcke oder Einzelverpackungen

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material 0

Anwendung

GaN kann in vielen Bereichen wie LED-Anzeigen, Hochenergieerkennung und Bildgebung eingesetzt werden,
Laserprojektionsanzeige, Leistungsgerät usw.

  • Laserprojektionsanzeige, Leistungsgerät usw.
  • Datumsspeicherung
  • Energieeffiziente Beleuchtung
  • Vollfarbiges Fla-Display
  • Laserprojektionen
  • Hocheffiziente elektronische Geräte
  • Hochfrequenz-Mikrowellengeräte
  • Hochenergetische Erkennung und Vorstellung
  • Neue Energie-Solar-Wasserstoff-Technologie
  • Umwelterkennung und biologische Medizin
  • Lichtquelle Terahertzband

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material 1 
 
Spezifikationen:

 

GaN-Vorlagenspezifikation

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material 2

 
2~4 Zoll freistehende GaN-Spezifikationsdatei
Artikel GaN-FS-CU-C50 GaN-FS-CN-C50 GaN-FS-C-SI-C50
Maße e 50,8 mm ± 1 mm
Dicke 350 ± 25 Uhr
Nutzfläche > 90 %
Orientierung C-Ebene (0001) Abweichungswinkel zur M-Achse 0,35° ± 0,15°
Orientierung flach (1-100) ±0,5°, 16,0 ±1,0 mm
Sekundäre Orientierungsebene (11-20) ±3°, 8,0 ±1,0 mm
TTV (Gesamtdickenvariation) < 15 Uhr
BOGEN < 20 Uhr
Leitungstyp N-Typ N-Typ Halbisolierend (Fe-dotiert)
Widerstand (3O0K) < 0,1 Q・cm < 0,05 Q・cm >106 Q・cm
Versetzungsdichte Von 1x105 cm-2 bis 3x106 cm-2
Polieren Vorderseite: Ra < 0,2 nm (poliert);oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie)
Rückseite: 0,5 ~ 1,5 Uhr;Option: 1~3 nm (fein geschliffen);< 0,2 nm (poliert)
Paket Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100, in Einzelwaferbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.
 
Größe 4”GaN-Substrate
Artikel GaN-FS-N
Abmessungen Größe Ф 100,0 mm ± 0,5 mm
Dicke des Substrats 450 ± 50 µm
Ausrichtung des Substrats C-Achse (0001) in Richtung M-Achse 0,55 ± 0,15 °
Polieren SSP oder DSP
Methode HVPE
BOGEN <25UM
TTV <20 um
Rauheit <0,5nm
Widerstand 0,05 Ohm.cm
Dotierstoff Si
(002) FWHM&(102) FWHM
<100 Bogen
Anzahl und maximale Größe der Löcher
und Gruben
Produktionsgrad ≤23@1000 um; Forschungsgrad ≤68@1000 um
Dummy-Qualität ≤112@1000 um
Nutzfläche P-Niveau > 90 %;R-Level > 80 %: D-Level > 70 % (Ausschluss von Rand- und Makrodefekten)

 

  Unpolare freistehende GaN-Substrate (a-Ebene und m-Ebene)
Artikel GaN-FS-a GaN-FS-m
Maße 5,0 mm × 5,5 mm
5,0 mm × 10,0 mm
5,0 mm × 20,0 mm
Kundenspezifische Größe
Dicke 330 ± 25 µm
Orientierung a-Ebene ± 1° m-Ebene ± 1°
TTV ≤15 µm
BOGEN ≤20 µm
Leitungstyp N-Typ
Widerstand (300K) < 0,5 Ω·cm
Versetzungsdichte Weniger als 5 x 106 cm-2
Nutzfläche > 90 %
Polieren Vorderseite: Ra < 0,2 nm.Epi-ready poliert
Rückseite: Fein geschliffen
Paket Verpackt in einer Reinraumumgebung der Klasse 100, in Einzelwaferbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

 

 

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material 3

2.ZMKJ liefert GaN-Wafer für die Mikroelektronik- und Optoelektronikindustrie mit Durchmessern von 2" bis 4".

GaN-Epitaxiewafer werden durch HVPE- oder MOCVD-Verfahren gezüchtet und können als ideales und ausgezeichnetes Substrat für Hochfrequenz-, Hochgeschwindigkeits- und Hochleistungsgeräte verwendet werden.Derzeit können wir GaN-Epitaxiewafer für die Grundlagenforschung und die Produktentwicklung von Geräten anbieten, einschließlich GaN-Template, AlGaN

und InGaN.Neben Standardwafern auf GaN-Basis können Sie gerne Ihre Epi-Schichtstruktur besprechen.
 
2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material 4

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