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2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material

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2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material
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Großes Bild :  2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: GaN-nicht-polar
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1PC
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: L / C, T / T

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material

Beschreibung
Material: Einzelner Kristall GaN Methode: HVPE
Größe: 10x10mm, 5x5mm Stärke: 350um
Industrie: LD, geführt, Laser-Gerät, Detektor, Oberfläche: singen Sie, oder doppelte Seite poliseed
Grad: für LD Art: Apolarer freistehender GaN Substrates
Markieren:

gan Substrat

,

gan Schablone

Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN, freistehende GaN-Substrate durch kundengebundene Größe, kleine GaN-Oblate für LED, mocvd-Gallium-Nitridoblate 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN Oblate, apolare freistehende GaN-Substrate (Einfläche und Mfläche)

 

GaN-Oblaten-Eigenschaft 

Produkt  Substrate des Galliumnitrids (GaN)
Produkt-Beschreibung: Schablone Saphhire GaN wird Epitxial-Hydrid-Dampfphasen-Epitaxie (HVPE)-Methode dargestellt. Im HVPE-Prozess produzierte die Säure durch die Reaktion GaCl, die der Reihe nach mit Ammoniak zur Erzeugnisgallium-Nitridschmelze reagiert wird. Epitaxial- GaN-Schablone ist eine kosteneffektive Weise, Substrat des einzelnen Kristalles des Galliumnitrids zu ersetzen.
Technische Parameter:
Größe 2" rund; 50mm ± 2mm
Produktpositionierung C-Achse <0001> ± 1,0.
Leitfähigkeitsart N-artig u. P-artig
Widerstandskraft R <0>
Oberflächenbehandlung (GA-Gesicht) WIE gewachsen
Effektivwert <1nm>
Nutzflächebereich > 90%
Spezifikationen:

 

Epitaxial- Film GaN (c-Fläche), N-artig, 2" * 30 Mikrometer, Saphir;

Epitaxial- Film GaN (c-Fläche), N-artig, 2" * 5 Mikrometer Saphir;

Epitaxial- Film GaN (r-Fläche), N-artig, 2" * 5 Mikrometer Saphir;

Epitaxial- Film GaN (m-Fläche), N-artig, 2" * 5 Mikrometer Saphir.

AL2O3- + GaN-Film (N-artiges lackiertes Si); AL2O3- + GaN-Film (P-artiges lackiertes Magnesium)

Anmerkung: entsprechend spezieller Steckerorientierung und -größe der Kundennachfrage.

Standard-Verpacken: saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material 0

Anwendung 

GaN kann in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung und Darstellung verwendet werden,
Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.

  • Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.
  • Datumsspeicher
  • Energiesparende Beleuchtung
  • Farbenreiche fla Anzeige
  • Laser Projecttions
  • Hoch- Leistungsfähigkeits-elektronische Geräte
  • Hochfrequenzmikrowellen-Geräte
  • Energiereiche Entdeckung und stellen sich vor
  • Neue Energie solor Wasserstofftechnologie
  • Umwelt-Entdeckung und biologische Medizin
  • Lichtquelle terahertz Band

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material 1 
 
Spezifikationen:

  Apolare freistehende GaN-Substrate (Einfläche und Mfläche)
Einzelteil GaN-Rumpfstation-ein GaN-Rumpfstation-m
Maße 5.0mm×5.5mm
5.0mm×10.0mm
5.0mm×20.0mm
Kundengebundene Größe
Stärke 330 ± 25 µm
Orientierung Einfläche ± 1° Mfläche ± 1°
TTV µm ≤15
BOGEN µm ≤20
Leitungs-Art N-artig
Widerstandskraft (300K) < 0="">
Versetzungsdichte Kleiner als 5x106 cm-2
Verwendbare Fläche > 90%
Polnisch Vordere Oberfläche: Ra < 0="">
Hintere Oberfläche: Feiner Boden
Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

 

 

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - stehender GaN Single Crystal Material 2

2.ZMKJ stellt GaN-Oblate zur Mikroelektronik- und Optoelektronikindustrie in Durchmesser 2" bis 4" zur Verfügung.

Epitaxial- Oblaten GaN werden durch HVPE gewachsen, oder MOCVD-Methode, kann als ideales und ausgezeichnetes Substrat für Hochfrequenz-, der hohen Geschwindigkeit und der hohen Leistunggerät angewendet werden. Z.Z. können wir GaN Epitaxial- Oblate für Grundlagenforschungs- und Gerätproduktentwicklungsgebrauch, einschließlich GaN-Schablone anbieten, AlGaN

und InGaN. Außer Standard-GaN basiert Oblate, sind Sie willkommen, Ihre epi Schichtstruktur zu besprechen.
 
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Wang

Telefon: +8615801942596

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